When a photon is absorbed in the se

When a photon is absorbed in the semiconductor, thereby transferring energy to a bound immobile electron in the valance band which is then excited across the band gap into the conduction band, where it is free to move about the solid. The photon must carry more energy than required to transfer the electron across the gap. The electron that has been excited to the conduction band leaves a place in the valance band that is now not occupied by an electron. Such an empty energy state of a negatively charged electron behaves like a positively charged particle- a so-called hole. These charge carrying holes are also comparatively free to move about the semiconductor solid.

Результаты (русский) 1:

Когда Фотон всасывается в полупроводнике, тем самым передачу энергии присоединенного немобильные электрона в полосе балдахин, которая затем возбужденных через зазор полосы в проводимости, где свободно двигаться твердого тела. Фотон должен нести больше энергии, чем требуется для передачи электрона через разрыв. Электрон, который был взволнован, чтобы Полоса кондукции покидает место в группе балдахин, которая сейчас не занят электрона. Такая пустая энергетическое состояние отрицательно заряженных электронов ведет себя как положительно заряженной частицы - так называемое отверстие. Они заряда несущие отверстия также сравнительно свободно двигаться полупроводниковых твердых.

Результаты (русский) 2:

Когда фотон поглощается в полупроводнике, тем самым передавая энергию в связанное неподвижного электрона в валентной зоне, которая затем возбуждают через запрещенной зоны в зону проводимости, где он может свободно передвигаться по твердым телом. Фотон должен нести больше энергии, чем требуется для переноса электрона через зазор. Электрон, который был возбужден в зону проводимости оставляет место в валентной зоны, которая сейчас не занята электроном. Такое пустое состояние энергии отрицательно заряженного электрона ведет себя как положительно заряженные частично-так называемое отверстие. Эти несущих заряд дырок также сравнительно свободно перемещаться по полупроводником твердого вещества.

Результаты (русский) 3:

когда фотон поглощает в производстве полупроводников, тем самым передачи энергии на себя стационарные электрон в Valance Band, который затем взволнован по группе разрыв в зона проводимости, где она свободно передвигаются по твердым.фотона должна нести больше энергии, чем требуется для переноса электронов через разрыв.электрон, который был возбужден в зону проводимости оставляет место в группе, которая в настоящее время не валанс, занимаемых электрона.такой пустой энергетического состояния отрицательно заряженных электронов, ведёт себя как положительно заряженных частиц - так называемые дыры.эти обвинения с отверстиями также относительно свободно передвигаются по производству твердых.