In crystals of semiconductor materi

In crystals of semiconductor materials no band overlap occurs. At temperature T = 0 , a number of bands are completely filled with electrons and the rest being empty. The topmost filled band is called the valance band and the next band above it, which is empty, is called conduction band.
If a crystal is placed in a strong electric field, some of the electrons in the valance band may be excited into the conduction band. At T >0 some of the valance band electrons are thermally excited into conduction band. The number of electrons that appear in the conduction band varies with the width of the energy* gap ∆ and with the temperature.
In an insulator, ∆ is so large that the electron concentration in the conduction band are negligibly small and there fore also the electric current.
In a semiconductor, ∆ is small enough for there to be significant electron concentration in the conduction band. This increases as the temperature increases.

Результаты (русский) 1:

В кристаллах полупроводниковых материалов, которые не дублируют друг друга группы происходит. При температуре T = 0, число полос полностью заполнены электронами и остальные пустыми. Topmost заполненный полоса называется балдахин band и Следующая полоса над ним, который является пустым, называется проводимости.Если кристалл в сильном электрическом поле, некоторые из электронов в группе балдахин могут быть возбуждены в проводимости. При T > 0, некоторые валентных электронов группы термически возбужденных в проводимости. Число электронов, которые появляются в полосе кондукции зависит от ширины ∆ разрыв энергии * и с температурой.В изолятор ∆ настолько велико, что концентрация электронов в полосе кондукции пренебрежимо малых и там fore также электрического тока.В полупроводнике ∆ достаточно мал, чтобы концентрация значительных электронов проводимости. Это увеличивается по мере повышения температуры.

Результаты (русский) 2:

В кристаллах полупроводниковых материалов не перекрытие зон не происходит. При температуре Т = 0, то число полос полностью заполнены электронами , а остальные были пустыми. Самая верхняя заполненная зона называется валентной зоны и следующая группа над ним, который пуст, называется зоной проводимости.
Если кристалл находится в сильном электрическом поле, некоторые из электронов в валентной зоне могут быть возбуждены в зону проводимости. При Т> 0 часть электронов валентной зоны являются термически возбужден в зону проводимости. Число электронов , которые появляются в зоне проводимости зависит от ширины энергии * щели А и с температурой.
В изоляторе, Δ настолько велика , что концентрация электронов в зоне проводимости пренебрежимо малы и там передний план также электрический ток.
В полупроводнике, Δ достаточно мал, чтобы была значительная концентрация электронов в зоне проводимости. При этом увеличивается по мере увеличения температуры.

Результаты (русский) 3:

в кристаллах полупроводниковых материалов нет оркестра совпадение имеет место.при температуре t = 0, а число полос полностью заполнены электронов, а остальные будут пустыми.высшие заполнены группа называется Valance Band и следующая группа над ней, пустое, называется зона проводимости.если кристалл помещается в сильного электрического поля, некоторые из электронов в Valance полоса может быть возбужден в зона проводимости.на т - > 0 часть Valance Band электроны являются термически взволнованы в зона проводимости.число электронов, которые фигурируют в зона проводимости варьируется в зависимости от ширины энергии * разрыв ∆ и с температурой.в изолятор, ∆ настолько большой, что концентрации электронов в зона проводимости ничтожно малы и не план также электрического тока.в производстве полупроводников, ∆ достаточно мала для значительной концентрации электронов в зона проводимости.это повышает, как повышение температуры.