When P- and N-type silicon are join

When P- and N-type silicon are joined a junction is created. This two-element device has a unique characteristic: the ability to pass current readily in one direction but not in the other.
Let us apply the theory of negative and positive carrier to this diode. Consider first the effect of connecting a battery across this diode with the polarity shown in your figure 1).
Free electrons enter the N-tуре silicon. These electrons repel the free electrons in the N-tуре silicon, and the free electrons move toward the P-N junction.
The holes in the P-type silicon are repelled by the positive terminal of the battery and also move toward the P-N junction, where combination of free electrons and holes takes place. The current carriers lost in these combinations are replaced by new current carriers resulting from separation of electron-hole pairs.
The free electrons created in the P-type silicon are attracted to the positive terminal and flow in the external circuit as shown. The process is continuous, and current flow is maintained. Moreover, if the voltage at the terminal is increased, current flow in the diode increases.
The manner of connecting the negative battery terminal to the N-type silicon and the positive battery terminal to the P-type silicon results in current flow and is called forward bias. Since current flows in this connection, the diode is said to have a low forward resistance.
In the reverse-bias connection the positive terminal of the battery attracts free electrons in the N-type silicon away from the P-N junction.
Look at your figure 2). The negative terminal of the battery attracts the holes in the P-type silicon away from the P-N junction.
Hence there are no combinations of free electrons and holes. Thus the majority current carriers in the diode do not maintain current flow. In this reverse-bias connection there is a minute current in the diode. This current is due to the minority carriers, i.e. due to the holes in the N-type silicon and free electrons in the P-type silicon. For the minority carriers, battery polarity is correct (зд. достаточный) to maintain current flow. Only a few microamperes of current flow as a result of the minority carriers. The reverse-bias connection results in a high reverse resistance in the diode.

Результаты (русский) 1:

Когда P - и N-типа кремния присоединены junction будет создан. Это устройство двух элемент имеет уникальные характеристики: способность пропускать ток легко в одном направлении, но не в другой.Давайте применим теория отрицательного и положительного перевозчика к этот диод. Рассмотрим сначала эффект соединения аккумулятора через этот диод с соблюдением полярности, показано в вашем рисунке 1).Свободные электроны введите N-tуре кремния. Эти электроны оттолкнуть свободных электронов в N-tуре кремния, и свободные электроны двигаться к P-N перехода.Отверстия в кремниевых P-тип отвращение к положительной клемме аккумулятора и также двигаться к P-N перехода, где происходит сочетание свободных электронов и дырок. Текущий перевозчиков, потерял в эти комбинации будут заменены новой текущей перевозчиков, результатом разделения электронно дырочных пар.Свободные электроны, созданный в кремниевых P-тип притягиваются к положительным полюсом и потока в цепи внешней как показано. Этот процесс является непрерывным, и сохраняется текущий поток. Кроме того если напряжение на терминале увеличивается, увеличивается ток в диоде.Порядок подключения негативные терминал для кремния N-типа и позитивные аккумуляторную батарею терминала для кремния P-тип результаты в текущем потоке и называется вперед предвзятости. Поскольку нынешние потоки в этой связи диод, как говорят, имеют низкое сопротивление вперед.В связи с реверс предвзятость положительным полюсом батареи привлекает свободные электроны в N-типа кремния от P-N перехода.Посмотрите на ваш рисунок 2). Отрицательная клемма аккумулятора привлекает отверстия в P-типа кремния от P-N перехода.Поэтому есть без комбинаций свободных электронов и дырок. Таким образом большинство текущих перевозчиков в диод не поддерживают текущего потока. В этой связи реверс смещения в минутах ток в диоде. Этот ток обусловлен неосновных носителей, т.е. за счет отверстий в N-типа кремния и свободных электронов в P-типа кремния. Для меньшинств перевозчиков, правильность полярности батареек (зд. достаточный) для поддержания текущего потока. Только несколько МКА текущего потока в результате неосновных носителей. Реверс предвзятость соединения приводит к высокой обратного сопротивления в диоде.

Результаты (русский) 2:

Когда P- и N-типа кремния соединены узловой создается. Этот двухэлементная устройство имеет уникальный характеристики: способность передавать ток легко в одном направлении , но не в другом.
Применим теорию отрицательного и положительного носителя для этого диода. Рассмотрим сначала эффект подключения аккумуляторной батареи через этот диод с полярностью , показанной на вашей фигуре 1).
Свободные электроны попадают в N-tуре кремния. Эти электроны отталкиваются свободные электроны в N-tуре кремния, а свободные электроны движутся к PN - перехода.
Отверстия в P-типа кремния отталкиваются положительным полюсом батареи , а также двигаться по направлению к PN - перехода, где комбинация свободных электронов и дырок происходит. Нынешние перевозчики потеряли в этих комбинациях заменяются новыми носителями тока в результате разделения электронно-дырочных пар.
Свободные электроны , создаваемые в P-типа кремния притягиваются к положительному полюсу и потока во внешней цепи , как показано на рисунке. Процесс является непрерывным, и электрический ток сохраняется. Кроме того, если напряжение на терминале увеличивается, ток в диоде увеличивается.
Способ подключения минусовую клемму аккумулятора к N-типа кремния и положительный вывод батареи к результатам кремния P-типа в текущем потоке и называется прямого смещения. Так как ток протекает в связи с этим, диод , как говорят , имеет низкое прямое сопротивление.
В связи обратного смещения положительный вывод батареи привлекает свободные электроны в N-типа кремния вдали от PN - перехода.
Посмотрите на вашей фигуре 2 ). Отрицательный вывод батареи привлекает отверстия в P-типа кремния от П.Н. перехода.
Следовательно , нет комбинаций свободных электронов и дырок. Таким образом, большинство носителей тока в диоде не поддерживать электрический ток. В связи с этим обратного смещения есть минута тока в диоде. Этот ток обусловлен неосновных носителей, т.е. из - за отверстий в N-типа кремния и свободных электронов в кремнии р-типа. Для неосновных носителей, полярность батареи правильно (зд. Достаточный) для поддержания электрического тока. Всего лишь несколько микроампер тока в результате неосновных носителей. Результаты подключения обратного смещения в высокой обратной сопротивления диода.

Результаты (русский) 3:

когда P - и n-type силиконовой соединены узел будет создана.эти два элемента устройство имеет уникальную особенность: способность передавать текущие легко в одном направлении, но не в других.давайте вспомним теорию негативных и позитивных перевозчика на этот диод.сначала рассмотрим эффект подключения батареи через диод с полярность показано в ваш рис. 1).свободные электроны попадают n-t уре кремния.эти электроны отпор свободных электронов в n-t уре кремний, и свободные электроны двигаться в сторону полупроводниковый перекрестка.отверстия в p-type кремния являются отвращение к положительному полюсу от аккумулятора, а также перейти к полупроводниковый развилки, где сочетание свободных электронов и дырок.в настоящее время перевозчики потеряли в этих сочетаниях заменяются новыми носителей тока в результате разделения дырка пары.свободные электроны, созданные в p-type силиконовой привлекают к положительному контакту и потока в внешней цепи, как показано на рисунке.этот процесс непрерывен, и нынешний поток данных.кроме того, если напряжение на терминал увеличивается ток в диод возрастает.способ подключения негативных аккумулятор терминала в n-type кремния и позитивные аккумулятор терминала в p-type силиконовой результаты в ток и называется вперед предвзятости.поскольку нынешние потоки в этой связи диод is said to have a низкий вперед сопротивления.в обратном предвзятости связи позитивные терминала от аккумулятора привлекает свободных электронов в n-type силиконовой подальше от полупроводниковый перекрестка.посмотри на рис. 2).негативные терминала от аккумулятора привлекает дыры в p-type силиконовой подальше от полупроводниковый перекрестка.поэтому нет комбинаций свободных электронов и дырок.таким образом, большинство нынешних носителей в диод не сохранить нынешний поток.в этой связи необходимо обратить вспять предвзятости минуту в настоящее время в диод.нынешний объясняется меньшинства перевозчиков, то есть из - за дыры в n-type кремния и свободных электронов в p-type кремния.для меньшинства, перевозчики, батарея полярность верна (зд.do) для поддержания нынешнего потока.лишь несколько microamperes нынешних потоков в результате меньшинства перевозчиков.обратный уклон связи приводит к высокой переломить сопротивление в диод.