The centre is formed as an intersti

The centre is formed as an interstitial carbon atom becomes mobile [172] and combines with an
interstitial oxygen atom, 0(i). That the 0(i) atom is static has been confirmed by using uniaxial stresses
to align the 0(i) atoms: irradiation and annealing produces aligned 789 meV centres [173]. In silicon of
high carbon and oxygen concentrations, second-neighbour pairs of C(s) and 0(i) occur (section 4.1.1).

Результаты (русский) 1:

центр выполнен в виде внедренного атома углерода становится подвижным [172] и в сочетании с
интерстициальный атом кислорода, 0 (I). что 0 (г) атом статического была подтверждена с помощью одноосного напряжения
выровнять 0 (I) атомы: облучения и отжига производит выровнены 789 мэВ центры [173]. в кремнии
высоким содержанием углерода и кислорода,второго соседа пар C (S) и 0 (I) происходит (раздел 4.1.1).

Результаты (русский) 2:

Центр формируется как интерстициальных углеродный атом становится мобильным [172] и сочетает в себе
атома интерстициальных кислорода, 0(i). 0(I) атом является статическим был подтвержден с помощью однонаправленного подчеркивает
для выравнивания 0(i) атомов: согласование облучения и отжига производит 789 МЭВ центры [173]. В кристалле
высокоуглеродистая и концентрации кислорода, второй сосед пар C(s) и 0(i) происходят (раздел 4.1.1).

Результаты (русский) 3:

Центр сформирован как внутритканевому отеку атомом углерода становится mobile [ 172] и на комбайнах с
внутритканевому отеку атом кислорода, 0 (i). Что 0 (i) atom static подтверждается с помощью стандартного однонаправленного подчеркивает
совместить 0 (i) атомов: облучения и отжига производит совмещены 789 МЭВ центры [ 173]. В кристалле
высоким содержанием углерода и кислорода концентраций,Второй сосед пары C(s) и 0 (i) (раздел 4.1.1 ) .