Gallium arsenide has а much higher

Gallium arsenide has а much higher electron mobility than germanium and silicon. The opportunities present are as follows: it is potentially much faster; it has а larger band gap, permitting operation at higher temperatures; it is chemically and mechanicailly stable. Mobilities in this high-purity gallium arsen ide are about twice those of germanium and four times those of silicon.

Результаты (русский) 1:

Арсенида галлия, а имеет гораздо выше мобильность электронов, чем Германия и кремния. Настоящее время возможности заключаются в следующем: это потенциально гораздо быстрее; Он имеет а больший разрыв группы, позволяя операции при более высоких температурах; это химически и mechanicailly стабильной. Подвижности в этой высокой степени чистоты галлия Арсен ide являются два раза те Германий и в четыре раза кремния.

Результаты (русский) 2:

Галлий арсенид имеет а гораздо более высокую подвижность электронов, чем германия и кремния. Возможности, присутствующие в следующем: он потенциально гораздо быстрее; он а больше ширины запрещенной зоны, позволяющее работать при более высоких температурах; он химически и mechanicailly стабильным. Подвижностей в этом высокочистого Арсена галлий язя примерно вдвое больше, чем германия и в четыре раза, кремния.

Результаты (русский) 3:

арсенид галлия отводится более подвижностью электронов, чем германия и кремния.возможности нынешних: это потенциально гораздо быстрее; в нем отводится более ионизация, разрешая операции при высоких температурах; он химически и mechanicailly стабильной.поездках в этой высокой чистоты, галлий арсен IDE - почти в два раза превышают германий и четыре раза эти кремния.