А transistor can be made bу adding

А transistor can be made bу adding а third doped region to а diode so that, for example, а p-type region is said to be sandwiched between two n -type regions. Оле ofthe n-doped areas is called t he emitter and the ot her, the collector; the p-region between them is the base.

Результаты (русский) 1:

А транзистор можно сделать Александра Добавление а третьего легированный области а диод, так что, например, считается, что регион p типа а зажатая между двумя n - типа областей. Оле n легированный районах называется t он эмиттера и ot ее, коллектор; p регион между ними является базой.

Результаты (русский) 2:

А транзистор может быть web-сайта, добавив а третий легированной области к а диод так, что, например, а область р-типа называется зажат между двумя п -типа областей. OFTHE н Оле-легированного областей называется он т эмиттером и ще, коллектор; р-область между ними является базовым.

Результаты (русский) 3:

а транзистор можно b в добавив, а третий забиты региона, а диод, чтобы, например, а p-type региона считается зажатой между двумя n - типа регионов.Оле из n-doped районах называется т он излучателя и от ее, коллекционер, p-region между ними является базовой.