Silicon's larger band gap permitted

Silicon's larger band gap permitted device operation at higher temperatures (important for power devices) and thermal oxidation of silicon produced а non-water-soluble stable oxide (as compared to germanium's oxide) suitable for passing p-n junctions, serving as an "impermeable diffusion mask" for соmmоn dopants, and as insulator coating for conductor overlayers.

Результаты (русский) 1:

Кремния больший разрыв диапазона разрешенных устройств операции при более высоких температурах (важно для устройств управления питанием) и термического окисления кремния производства а воды растворимый стабильный оксид (по сравнению с германием в оксид) подходит для передачи p-n переходов, выступающей «водоупорных диффузии маска» для соmmоn активаторов и диэлектрик покрытие для дирижера достижимую.

Результаты (русский) 2:

больше ширина запрещенной зоны кремниевых разрешено работу устройства при более высоких температурах (важно для силовых устройств) и термического окисления кремния, полученного а не-растворимой в воде стабильный оксид (по сравнению с оксидом германия в) подходит для прохождения р-п переходов, выступающей в качестве "непроницаемой диффузионной маски "для соmmоn присадками, а также в качестве изолятора для покрытия проводника overlayers.

Результаты (русский) 3:

кремний крупных ионизация допускается устройство операции при высоких температурах (важно для власти устройств) и термического окисления силиконовой подготовила а не растворимых в воде стабильной азота (по сравнению с германий - азота) подходит для прохождения полупроводниковый перекрестки, выступать в качестве "непроницаемых распространения маска", мм, N dopants, и как утеплитель на покрытие для дирижера overlayers.