The potential of high -purity galli

The potential of high -purity gallium arsenide was first explicit in а new gallium arsenide-germanium hetero-junct ion diode. The hetero-junction device has а potential for much faster switching than conventional p-n junct ion diodes. lts calculated switching time is of the
order of а few picoscconds (trillions of а second).

Результаты (русский) 1:

Потенциал высокой - арсенид галлия чистоты был первым явным а новый Арсенид Германий гетеро junct ионный диод. Гетеро junction устройство имеет потенциал а для гораздо более быстрого переключения чем обычные p-n junct Ион диодов. LTS расчетный время переключения изОрден а несколько picoscconds (триллионы а второй).

Результаты (русский) 2:

Потенциал арсенида галлия высокой -purity был первым явным в а новый на основе арсенида галлия-германий гетеро-junct ионного диода. Устройство гетеропереходе имеет а потенциал для гораздо более быстрое переключение по сравнению с обычными ионных диодов рп junct. LTS расчетное время переключения имеет
порядка а несколько picoscconds (триллионы а секунду).

Результаты (русский) 3:

потенциал высокий - чистота арсенид галлия была впервые четко, а новые арсенид галлия германий гетеро junct ион диод.на перекрестке устройство имеет потенциал для гетеро, а гораздо быстрее, чем обычные полупроводниковый junct переключения ион диодов.она рассчитана на время работыпорядок, а несколько picoscconds (триллионы, а второй).