Oxygen concentration present influe

Oxygen concentration present influences mаnу silicon waferproperties, such as wafer strength, resistance to thermal warping (скачок), minority carrier lifetime and instability in resistivity.

Результаты (русский) 1:

Концентрация кислорода в настоящее время влияет на mаnу кремния waferproperties, такие как Вафля прочность, устойчивость к тепловой деформации (скачок), время жизни меньшинств и нестабильность в удельным сопротивлением.

Результаты (русский) 2:

Концентрация кислорода влияет на нынешние mаnу кремния waferproperties, такие как прочность пластин, устойчивости к термическому короблению (Скачок), время жизни неосновных носителей и нестабильности сопротивления.

Результаты (русский) 3:

концентрация кислорода настоящего влияния м а н в силиконовой waferproperties, таких как подложка сила, сопротивление тепловой деформации (скачок), перевозчик жизни меньшинств и нестабильности в сопротивления.