The next major step in semiconducto

The next major step in semiconductors was the invention of the first monolithic integrated circuit by Jack Kilby and Robert Noyce in 1960. Their integrated devices consisted of many solid-state transistors that were manufactured and interconnected internally on a single semiconductor substrate. The typical minimum feature size in these early products was greater than 20 mm, significantly smaller than some of their discrete transistor counterparts. The ability to interconnect the devices internally allowed more complex functions to be performed by a single device. Interconnection also made it possible to pack a larger amount of function into areas far smaller than was possible with discrete transistors. It was the invention of the "integrated circuit" that ushered in the modern microelectronics era, and it is still adaptations of that basic product that fuel the semiconductor industry.

Результаты (русский) 1:

Следующим крупным шагом в полупроводниках было изобретение первого монолитной интегральной схемы, Джек Килби и Роберт Нойс в 1960 году. Интегрированные устройства состоял из многих твердотельных транзисторов, которые были изготовлены и внутренне взаимосвязаны на одной полупроводниковой подложки. Типичным минимальным размером в этих ранних продуктах был более 20 мм, значительно меньше, чем некоторые из их коллег дискретных транзисторов. Возможность соединения устройств внутренне позволило более сложные функции, выполняемые с одним устройством. Объединение также стало возможным упаковать большее количество функций в районах гораздо меньше, чем это было возможно с дискретных транзисторов. Это было изобретение «интегральных», которая положила начало в эпоху современной микроэлектроники, и это до сих пор адаптации основного продукта, которые полупроводниковой промышленности.

Результаты (русский) 2:

Следующим важным шагом в полупроводниках стало изобретение первой монолитной интегральной схемы Джека Килби и Роберт Нойс в 1960 году их интегрированных устройств состояла из множества твердотельных транзисторов, которые были изготовлены и соединенных между собой внутренне на одной полупроводниковой подложке. Типичный минимальный размер в этих ранних продуктов была больше, чем 20 мм, что значительно меньше, чем некоторые из их дискретных транзисторных аналогов. Возможность для соединения устройств внутри позволило более сложные функции, которые будут выполняться одним устройством. Объединение также дало возможность собрать большее количество функций в областях, намного меньше, чем это было возможно при использовании дискретных транзисторов. Это было изобретение "интегральной схемы", которые вступили в эру современной микроэлектронике, и она до сих пор адаптация этого основного продукта, что топливо в полупроводниковой промышленности.

Результаты (русский) 3:

следующим важным шагом в полупроводниках был изобретения первых монолитных интегральных джек килби и роберт нойс в 1960 - е годы.комплексные устройства состоит из многих твердотельных транзисторов, которые были изготовлены и взаимосвязанные внутри одного полупроводниковых субстрата.типичный размер минимальной чертой в эти первые продукты более 20 мм, значительно меньше, чем некоторые из своих отдельных транзистор коллегами.возможность соединения устройств внутри позволили более сложные функции, выполняемые в одном устройстве.объединение также удалось собрать более значительного объема функций в областях намного меньше, чем можно было с дискретной транзисторов.это изобретение "интегральных", которые ввели в современной микроэлектроники эпохи, и он по - прежнему адаптации этого основного продукта, что топливо полупроводниковой промышленности.