Like a UV-EPROM, a Flash EEPROM is

Like a UV-EPROM, a Flash EEPROM is programmed by a hot electron injection mechanism, and erased by field emission from a floating gate, like a byte-erasable EEPROM. The erase mechanism for a Flash EEPROM cell is the same as that for a byte-erasable EEPROM cell; however, their basic use as LSI memories are typically different. In a Flash EEPROM, the whole chip can be erased simultaneously, while a byte-erasable EEPROM is erased only one byte at a time. When the byte erase function is eliminated, an electrically re-programmable non-volatile memory can be realized by utilizing only
one transistor per cell. A UV-EPROM also simultaneously erases all its bits by exposure to ultraviolet light, and is programmed by hot electron injection mechanism. In this sense, a UVEPROM is similar to a Flash EEPROM in functionality except that the erase operation is carried out
by UV irradiation.

Результаты (русский) 1:

Как УФ-EPROM EEPROM, Flash программируется механизма внедрения горячих электронов и стерты Автоэмиссионные из плавающего затвора, как байт стираемое EEPROM. Стереть механизм для ячейки EEPROM, Flash является таким же, как для байт стираемое ячейки EEPROM; Однако их основные использовать как LSI воспоминания обычно отличаются. В EEPROM, Flash весь чип могут быть стерты одновременно, в то время как байт стираемое EEPROM является стереть только один байт одновременно. Когда устранены стереть функция байт, электрически повторно программируемые энергонезависимой памяти могут быть реализованы путем использования толькоодин транзистор в клетку. УФ-EPROM также одновременно стирает все биты под воздействием ультрафиолетового света и программируется механизм внедрения горячих электронов. В этом смысле UVEPROM похож на Flash EEPROM в функциональности, за исключением того, что осуществляется операция стиранияот УФ-облучения.

Результаты (русский) 3:

как uv-eprom, вспышки EEPROM запрограммирован на горячую электрон инъекции механизма и стерты FED с плавающей ворота, как нестираемого байт EEPROM.очистить механизма вспышки EEPROM ячейки является то, что для байт EEPROM нестираемого ячейки; однако их основных использовать как LSI воспоминания, как правило, являются различными.вспышка EEPROM, весь чип можно стирать одновременно,хотя байт EEPROM нестираемого стерты только один байт на время.когда байт удаления функции исключается, электрически вновь программируемых энергонезависимой памяти может быть реализована, используя только
одного транзистора в клетке.а uv-eprom одновременно стирает все кусочки от воздействия ультрафиолетового света, и планируется горячей электрон инъекции механизма.в этом смыслеа uveprom похож на флэш - EEPROM на функциональность, за исключением того, что стереть операция осуществляется
с помощью ультрафиолетового облучения.