Результаты (
русский) 2:
[копия]Скопировано!
Таким образом, новые материалы необходимы для СБИС соединений.
В конструкции любого аппарата или устройства всегда были ограничены материалов доступных. Проблема в вопросе, что материалы могут быть разработаны и адаптированы для любых новых структур.
Полупроводники используются в самых разнообразных твердых-statedevices в том числе транзисторов, интегральных схем, диодов, фотодиодов andlight-emittingdiodes.
Некоторые элементы в и вокруг группы IV из Периодическая таблица показывают собственного полупроводника свойствами, но из них Ge и Si (и, в меньшей степени, Se) в одиночку показали химические и электрические свойства, подходящие для электронных устройств, работающих вблизи комнатной температуры.
германий и кремний были первые полупроводниковые материалы в общем пользовании.
Отличный вклад в изучение физики полупроводников был сделан выдающегося советского ученого AFYoffe. Это было в 1930 году, когда академик A.Yoffe и его коллеги начали систематические исследования в области полупроводников.
Теория диффузии ректификации на границе двух полупроводников был разработан BIDavydov, советский физик, в 1938 году экспериментальной поддержки его Теория имела большое значение в расследовании процессов, происходящих ИНП-njunctions.
Сразу после Первой мировой войны П физики Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли, и многие другие ученые, оказалось все свое время полупроводниковых исследований. Исследование было сосредоточено на двух простейших полупроводников - германий и кремний.
Эксперименты привести к новым теориям. Например, Уильям Шокли предложил идею для полупроводникового усилителя, который бы критически проверить теорию. Фактическое устройство было гораздо меньше, чем прогнозировалось усиление. Джон Бардин предложил теорию пересмотра, которые объяснить, почему устройство не будет работать, и почему предыдущие эксперименты не были точно предсказано старых теорий. В новых экспериментах, разработанных для проверки новой теории они обнаружили совершенно новое физическое явление - транзисторный эффект. В 1948 году W.Shockley запатентовал перехода транзистора. Распределительные транзисторы essentiallysolid-statedevices имеющие три слоя поочередно положительным или отрицательным тип полупроводникового материала.
Ранняя история современной полупроводниковой технологии могут быть прослежены к 1947, когда декабря J.Bardeen и WHBrattain наблюдается транзистор действие через точечных контактов, применяемых topoly-crystallinegermanium. Германий стало материал в общем пользовании. Это стало ясно, что транзистор действие происходило в отдельных зерен поликристаллического материала.
GKTeal первоначально признаются огромную важность ofsingle-crystalsemiconductor материалы, а также для обеспечения физической реализации перехода транзистора. Teal reasoned30 в 1949 году, неконтролируемые сопротивлений, которые поликристалли- германия и электронного traps31 повлияет транзисторных операции в неконтролируемых способами. Кроме того, он считал, что поликристаллический материал обеспечит противоречивые выход продукта и, следовательно, быть дорогостоящим. Он был первым, чтобы определить химическую чистоту, высокую степень кристаллических perfection35 и однородности структуры, а также контролируемый химический состав (т.е. донор или концентрация акцепторов) из thesingle-crystalmaterial в качестве необходимого фундамента для полупроводниковых изделий.
В следующем десятилетии стали свидетелями ingermanium и "универсальной" полупроводниковый материал, кремния. Кремний постепенно снискал над германия как «универсального» полупроводникового материала.
переводится, пожалуйста, подождите..
![](//ruimg.ilovetranslation.com/pic/loading_3.gif?v=b9814dd30c1d7c59_8619)