with these materials the energy gap

with these materials the energy gap can also be varied from one part of a transistor to another. The heterojunction emitter bipolar transistor is a prominent example of this possibility.

Результаты (украинский) 1:

з цими матеріалами розрив енергії можуть також бути різноманітні з однієї частини транзистор до іншого. Біполярний транзистор heterojunction випромінювач є яскравим прикладом такої можливості.

Результаты (украинский) 2:

з цими матеріалами енергетичної щілини і може змінюватися від однієї частини до іншої транзистор. Гетероперехода біполярного транзистора емітер є яскравим прикладом такої можливості.

Результаты (украинский) 3:

З цими матеріалами енергетичних розрив може бути коливалася від також одної частини з effect Transistor до іншої. На heterojunction емітента біполярної effect Transistor є одним з прикладів такої можливості.