The yield ( or circuit performance)

The yield ( or circuit performance) of а device and the intrinsic and extrinsic materials propertics of silicon are interdependent. The silicon wafer substrate must be practically defect-free when the active device density may be as high as 10 to 10 per chip.

Результаты (русский) 1:

Доходность (или производительность цепи) а устройства и внутренние и внешние материалы propertics кремния являются взаимозависимыми. Субстрат пластины кремния должны быть практически без дефектов, когда плотность активного устройства может быть выше, чем 10 до 10 на чип.

Результаты (русский) 2:

Выход (или характеристики схемы) нового члена устройства и внутренние и внешние материалы propertics кремния являются взаимозависимыми. Кремниевая подложка подложка должна быть практически свободной от дефектов, когда активная плотность устройства может достигать от 10 до 10 на чипе.

Результаты (русский) 3:

доходность (или цепи работы), а устройства и внутреннее и внешнее материалов propertics кремния являются взаимозависимыми.кремниевой пластины субстрат, должны быть практически бесплатно, когда активные устройства плотность дефект может достигать 10 на 10% ".