The potential of integrated circuit

The potential of integrated circuits is so wide that in addition to replacing similar discrete component circuits they are responsible for creating a completely new technology of circuit design.
There are two basic approaches to modern microelectronics – monolithic integrated circuits and film circuits.
In monolithic ICs all circuit elements, active and passive, are simultaneously formed in a single small wafer of silicon. The elements are interconnected by metallic stripes deposited onto the oxidized surface of the silicon wafer.
Monolithic ICs technology is and extension of the diffused planar process. Active elements(transistors and diodes) and passive elements(resistors and capacitors) are formed in the silicon slice by diffusing impurities into selected regions to modify electrical characteristics and where necessary to form p-n junctions. The various elements are designed so that all can be formed simultaneously by the same sequence of diffusions.
Film circuits are made by forming the passive electronic component and metallic interconnections on the surface of an insulation substrate. Then the active semiconductor devices are added, usually in discrete wafer form. There are two types of film circuits, thin film and thick film.
In thin film circuits the passive components and interconnection wiring are formed on glass or ceramic substrates, using evaporation techniques. The active components (transistors and diodes) are fabricated as separate semiconductor wafers and assembled into the circuit.
Thick film circuits are prepared in a similar manner except that the passive components and wiring are formed by silk-screen techniques on ceramic substrates.
There can be many instances where the microelectronic circuit may combine more than one of these approaches in a single structure, using a combination of techniques.
Hybrid ICs are combinations of monolithic and film techniques. Active components are formed in a wafer of silicon using the planar process, and the passive components and interconnection wiring pattern formed on the surface of silicon oxide which covers the wafer, using evaporation techniques.

Результаты (русский) 1:

Потенциал интегральных настолько широкий, что помимо замены аналогичных дискретных компонентов цепи, они отвечают за создание com pletely новую технологию кругового проектирования.Существует два основных подхода к современной микроэлектроники – монолитных интегральных схем и схем фильм.В монолитных ICs все элементы схемы, активные и пассивные, являются simulta neously сформированы в одной небольшой пластины кремния. Эти элементы являются Интеркон готовления металлические полосы, на хранение на поверхность окисленной Фер ва кремния.Монолитные ICs, технология и расширение рассеянный Вселенский процесс. Активных элементов (транзисторов и диодов) и пассивные элементы (резисторы и конденсаторы) формируются в кусочек кремния диффундирующих примесей в отдельных регионах для изменения электрических характеристик и где необходимо сформировать p-n переходов. Различные элементы спроектированы так, что все может быть сформирован одновременно в той же последовательности диффузий.Фильм цепи изготовлены путем формирования пассивных электронных компонентов и металлические соединения на поверхности изоляции субстрата. Затем полупроводниковых устройств переменного тока tive добавляются, обычно в виде дискретных вафли. Существует два типа фильм цепей, тонкопленочных и толстой.В тонкопленочных схем пассивные компоненты и взаимодействия электропроводки формируются на стеклянных или керамических подложек, с использованием методов испарения. Активные компоненты (транзисторов и диодов) изготавливаются как отдельных полупроводниковых пластин и смонтирован в контуре.Толстая пленка цепей готовятся аналогичным образом за исключением того, что пассивные компоненты и проводки формируются методами шелкографии на керамических суб стратам.Там может быть много случаев, когда микроэлектронной цепи может com bine больше, чем один из этих подходов в единую структуру, используя combina Тион методов.Гибридные ICs являются комбинации монолитных и кино методы. Активные компоненты формируются в пластин кремния с помощью процесса Вселенский, и пассивные компоненты и взаимодействия электропроводки шаблон формируется на поверхности оксида кремния, который охватывает пластины, с использованием методов испарения.

Результаты (русский) 2:

Потенциал интегральных схем настолько широк, что в дополнение к замене подобные дискретных цепей компонентов они несут ответственность за создание ком полностью новую технологию проектирования схем?.
Есть два основных подхода к современной микроэлектроники -. Монолитные интегральные схемы и пленочные схемы
в монолитных ИС все элементы схемы, активные и пассивные, которые Simulta? менно сформированы в одной небольшой пластины кремния. Элементы Intercon? Подключенные металлических полос с помощью нанесенных на окисленной поверхности кремниевой ва? FER.
Монолитной технологии ИС является и расширение планарной технологии. Активные элементы (диоды и транзисторы) и пассивные элементы (резисторы и конденсаторы) формируются в кремниевой пластине, примесями в отдельных регионах, чтобы изменить электрические характеристики и, при необходимости, чтобы сформировать п переходов. Различные элементы спроектированы таким образом, что все они могут быть сформированы одновременно и той же последовательности диффузии.
Цепи пленки получают путем образования пассивных электронных компонентов и металлических межсоединений на поверхности изолирующей подложки. Затем AC? Ный полупроводниковые устройства добавляются, как правило, в форме пластины дискретной. Есть два типа пленочных схем, тонкой пленки и пленки толщиной.
В тонкопленочных схем пассивные компоненты и соединительных проводников формируются на стеклянной или керамическую основу с использованием способов, испарение. Активные компоненты (транзисторы и диоды) изготовлены в виде отдельных полупроводниковых пластин и собраны в цепь.
Толстой пленки схемы получали аналогичным образом за исключением того, пассивные компоненты и проводку образованы методов шелкографии на керамическую суб? Ложках.
Там может быть много случаев, когда микроэлектронной схема может COM? BINE больше, чем один из этих подходов в единую структуру, используя COMBINA? ный методов.
Гибридные ИС являются комбинациями монолитных и пленочных методов. Активные компоненты образуются в пластине кремния с использованием процесса плоскую и пассивные компоненты и соединительных проводников, сформированную на поверхности оксида кремния, который покрывает подложку, с использованием методов испарения.

Результаты (русский) 3:

потенциальные интегральных схем является настолько широким, что помимо замены отдельных компонентов, аналогичные схемы они несут ответственность за создание com  pletely новой технологии проектирования микросхем.
существует два основных подхода к современной микроэлектроники - монолитных интегральных схем и фильм цепей.
в монолитных мпс все элементы цепи, активной и пассивной,- simulta  neously сформированных в один небольшой вафельные кремния.элементы intercon  nected на металлических полос на хранение на проржавевшие поверхности кремниевой ва  фер.
монолитных мпс технологии и расширение распыленной планарная технология.активных элементов (транзисторы, диоды и) и пассивного элементов (резисторы и конденсаторов) формируются в силиконовой кусок посредством предотвращения примесей в отдельных регионах изменить электрические характеристики и, в случае необходимости, создавать полупроводниковый перекрестки.различные элементы, устроены так, что все может быть сформирован одновременно в той же последовательности распространения.
фильм цепей, формируя пассивных электронных компонентов и металлических соединений на поверхности субстрата изотермических свойств.затем AC  tive полупроводниковых приборов суммируются, обычно в форме отдельных пластин.существует два вида кино цепей, тонкая пленка и тонко.
в тонкой пленки цепей пассивных компонентов и подключения проводов формируются на стеклянные или керамические субстраты, используя испарения.активные компоненты (транзисторы, диоды) производятся в качестве отдельных полупроводниковых вафли и собраны в цепь.