N-Channel Logic Level Enhancement M

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
RDS(ON)=40m @VGS=4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handling capability. & TO-263 package.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25 C unless otherwise noted)
Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Drain Current-Continuous @TJ=125 C -Pulsed Drain-Source Diode Forward Current Maximum Power Dissipation @Tc=25 C Derate above 25 C Operating and Storage Temperature Range Symbol VDS VGS ID IDM IS PD TJ, TSTG Limit 30 Unit W/ C

Thermal Resistance, Junction-to-Case Thermal Resistance, Junction-to-Ambient RJC RJA
Drain-Source Breakdown Voltage Zero Gate Voltage Drain Current Gate-Body Leakage BVDSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(ON) ID(ON) gFS

Gate Threshold Voltage Drain-Source On-State Resistance On-State Drain Current Forward Transconductance

Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time Rise Time Turn-Off Delay Time Fall Time Total Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain Charge

Результаты (русский) 1:

N-канала логики уровня повышения режим полевой транзисторОСОБЕННОСТИRDS (ON) = 40 м @VGS = 4.5V. Дизайн супер высокой плотной клетки для экстремально низкой RDS(ON). Высокая мощность и текущие возможности обработки. & К-263 пакета.АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ ОГРАНИЧЕНИЯ (Tc = 25 C, если не указано иное)Параметр слива источник напряжения ворот источника напряжения слива ток непрерывная @TJ = 125 C-импульсный сток исток диод вперед текущей максимальной мощности диссипация @Tc = 25 C корректирующий выше 25 C операционной и диапазон температур хранения символ VDS VGS ID IDM ЯВЛЯЕТСЯ PD TJ, TSTG предел 30 блок w / CТепловое сопротивление, Junction в случае теплового сопротивления, перехода к окружающей RJC RJAСток-источник пробоя напряжения нулевой ворот напряжения слива текущие ворота тела утечки BVDSS ИОСИ IGSS VGS(th) RDS(ON) ID(ON) gFSВорот порог напряжения сток источник сопротивления на состояние стока на состояние текущего вперед TransconductanceВходной емкости вывода емкости обратной передачи емкостиВращающееся задержки время подъема время выключения задержки время падения времени всего ворот заряда ворот источника заряда ворота Drain заряда

Результаты (русский) 2:

N-канальный логический Повышение уровня Режим полевом транзисторе
ФУНКЦИИ
RDS (ON) = 40 м @ VGS = 4.5V. Супер конструкция плотная ячейка для экстремально низких RDS (ON). Высокая мощность и способность поглощения тока. И TO-263 пакет.

МАКСИМАЛЬНЫЕ ВЕЛИЧИНЫ (Tc = 25 ° C , если не указано иное)
Параметр дренажного Источник напряжения затвор-исток напряжение потребляемый ток-Continuous @ TJ = 125 C -Pulsed сток-исток диода Ток в прямом направлении Максимальная рассеиваемая мощность @ Tc = 25 C снижения номинальных выше 25 C Условия эксплуатации и хранения Температура Диапазон Символ VDS VGS ID IDM IS PD TJ, Tstg предел 30 Единица W / C

Тепловое сопротивление, переход-Case Тепловое сопротивление, переход-Ambient РЕК RJA
сток-исток Нулевое напряжения на затворе ток стока перрона Тело утечки BVDSS ИОСИ IGSS VGS (ая) RDS (ON) ID (ON) GFS

Gate Threshold напряжение сток-исток в открытом состоянии сопротивление во включенном состоянии ток стока Крутизна в прямом направлении

входной емкости выходной емкости обратной передачи Емкость
Включите -На Время задержки Время нарастания задержки выключения Время спада Время полный заряд затвора затвор-исток заряда затвор-сток Charge

Результаты (русский) 3:

n-channel логика уровне расширение режиме полевой транзисторособенностиRDS () = 40 @ VGs = 4.5v. супер высокие плотные мобильный дизайн для крайне низкой RDS (от).большой мощности и нынешнего рассмотрения возможностей.и to-263 пакета.абсолютный максимум рейтинги (TC = 25 с, если не указано иное)параметр умов» источник напряжения источника утечки в настоящее время непрерывного напряжения в ворота "ти - джей = 125 C - импульсные утечки источника диод вперед в настоящее время максимальной мощности отвода @ TC = 25 C derate выше 25 с операционной и хранения температурный диапазон символ VDS VGs ID IDM - оп тиджей, tstg ограничить 30 группа W / Cтермическое сопротивление, в случае соединения термического сопротивления, - от рок rjaутечки источника напряжения нулевой отток в настоящее время напряжение разбивка ворота ворота тело утечки bvdss иоси IGSS VGs (т) RDS (о) идентификатор (о) GFSворота порогового напряжения утечки источника о государственном сопротивления на государство в настоящее время вперед transconductance умов»вклад ёмкость производства ёмкость обратной передачи ёмкостьочередь на время задержки роста время выключить время задержки время падения ворот за ворота источник за ворота всего за канализацию