Transistor in electronics, common n

Transistor in electronics, common name for a group of electronic devices used as amplifiers or oscillators in communications, control, and computer systems (See Electronics). Until the advent of the transistor in 1948, developments in the field of electronics were dependent on the use of thermionic vacuum tubes,. magnetic amplifiers, specialized rotating machinery, and special capacitors as amplifiers.
Capable of performing many functions of the vacuum tube in electronic circuits, the transistor is a solid-state device consisting of a tiny piece of semiconductor, usually germanium or silicon, to which three or more electrical connections are made. The basic components of the transistor are comparable to those of a triode vacuum tube and include the emitter, which corresponds to the heated cathode of the triode tube as the source of electrons.
The transistor was developed at Bell Laboratories by the American physicists Walter Houser Brattain, John Bardeen, and William Bradford Shockley. For this achievement, the three shared the 1956 Nobel Prize in physics. Shockley is noted as the initiator and director of the research programme in semiconducting materials that led to the discovery of this group of devices; his associates, Brattain and Bardeen, are credited with the invention of an important type of transistor.
Atomic Structure of Semiconductors
The electrical properties of a semiconducting material are determined by its atomic structure, in a crystal of pure germanium or silicon, the atoms are bound together in a periodic arrangement forming a perfectly regular diamond-cubic lattice. Each atom in the crystal has four valence electrons, each of which interacts with the electron of a neighbouring atom to form a bond. Because the electrons are not free to move, the pure crystalline material acts, at low temperatures, as an insulator.
Function of Impurities
Germanium or silicon crystals containing small amounts of certain impurities can conduct electricity even at low temperatures. Such impurities function in the crystal in one of two ways. An impurity element, such as phosphorus, antimony, or arsenic, is called a donor impurity because it contributes excess electrons. This group of elements has five valence electrons, only four of which enter into bonding with the germanium or silicon atoms. Thus, when an electronic field is applied, the remaining electrons in donor impurities are free to move through the crystalline material.
In contrast, impurity elements, such as gallium and indium, have only three valence electrons, lacking one to complete the interatomic-bond structure within the crystal. Such impurities are known as acceptor impurities because these elements accept electrons from neighbouring atoms to satisfy the deficiency in valence-bond structure. The resultant deficiencies, or so-called holes, in the structure of neighbouring atoms, in turn, are filled by other electrons and so on. These holes behave as positive charges, appearing to move under an applied voltage in a direction opposite to that of the electrons.

Результаты (русский) 3:

транзистор, в электронике, общее название для группы электронных устройств, используемых как усилители или осцилляторы, в сообщениях, контроля и компьютерных систем (см. электроники).до появления транзистор, в 1948 году, достижения в сфере электроники зависят от использования термионные вакуумной трубки.магнитные усилители, специализированных вращающимся механизмом, и специальные конденсаторов, как усилители.способные выполнять многие функции вакуумной трубки в электронных схемах, транзистор - твердотельный устройство, состоящее из крошечный кусочек полупроводников, как правило, германия или кремния, которого три или более электрические соединения осуществляются.основные компоненты транзистор сопоставимы с теми из триод вакуумный и включать излучатель, который соответствует нагретый катод из триод трубы в качестве источника электронов.транзистор был разработан в Bell Labs американским физикам браттейн, уолтер хаузер, бардин, джон уильям брэдфорд шокли, а.за это достижение, три разделяет 1956 году нобелевскую премию по физике.шокли, - отметил, как инициатор и руководитель научно - исследовательской программы по полупроводниковые материалы, которые привели к обнаружению этой группы устройств; его сообщников, и учитываются браттейн бардин, с изобретением важный тип транзистора.атомная структура полупроводникиэлектрические свойства полупроводниковые материалы, а определяются их атомную структуру, в кристалле чистого германия или кремния, атомы связаны вместе в периодической механизм формирования совершенно очередной алмаз кубических решетки.каждый атом в кристалле четыре Valence электроны, каждая из которых взаимодействует с электронной соседнего атом в форме залога.потому что электроны не свободно передвигаться, чисто кристалообразное вещество актов, при низких температурах, в качестве утеплителя.функция примесейгермания или силиконовой кристаллы, содержащие небольшие суммы некоторых примесей, может проводить электричество, даже при низких температурах.такие примеси функцию в кристалле одним из двух способов.примеси элементов, таких, как фосфор, сурьма, мышьяк, называется потому, что он способствует превышение доноров примеси электронов.эта группа элементов, имеет пять Valence электроны, лишь четыре из них вступить в связь с германий или атомов кремния.таким образом, когда электронное поле применяется, остальные электроны в донорских примеси могут свободно перемещаться через кристаллических материалов.в отличие от примесей элементы, такие, как галлия и индий, есть только три Valence электроны, не хватает одного завершить межатомного бонд структуры в кристалл.такие примеси, известны как акцептор примесей, потому что эти элементы принимать электроны из соседних атомов удовлетворить недостаток в Valence бонд структуры.в результате недостатков, или так называемые дыры, в структуре соседних атомов, в свою очередь, заняты другими электронами и так далее.эти дыры ведут себя как позитивные обвинений, которые двигаться под применяется напряжение в направлении, противоположном тому, которое от электронов.