What ultimately provided the soluti

What ultimately provided the solution was the semiconductor
integrated circuit, the concept of which had begun to take shape a few years after the invention of the transistor. Roughly (приблизи­тельно) between 1 960 and 1963, a new circuit technology became a reality. the development of space vehicles provided the final impetus to study the problem.
The advent of microelectronic circuits has not, for the most part,
changed the nature of the basic functional units: microelectronic devices were still made up of transistors, resistors, capacitors, and similar components. The major difference is that all these elements and their interconnections are now fabricated on a single substrate in a single series of operations.
Several key developments were required before the exciting potential of integrated circuits could be realized.
The development of microelectronics depended on the invention of techniques for making the various functional units or on a crystal semiconductor materials.
In particular, a growing number of functions have been given over to circuit elements that perform best: transistors. Several kinds of microelectronic transistors have been developed, and for each of them families of associated circuit elements and circuit patterns have evolved.
The bipolar transistor was invented in 1948 by John Bardeen Walter Н. Brattain and William Shockley of the Bell Telephone Laboratories. In bipolar transistors charge carriers of both polarities are involved in their operation. They are also known as junction transistors. The npn and pnp transistors make up the class of devices called
junction transistors.
A second kind of transistor was actually conceived almost 2 years before the bipolar devices, but its fabrication in quantity did not become practical until the early 1960's. This is field-effect transistors.
The one that is соmmоn in microelectronics is the metal-oxide-semiconductor field-effect transistor. The term refers to the three materials employed in its construction and is abbreviated MOSFET.
The two basic types of transistor, bipolar and МOSFЕТ, divide microelectronic circuits into two large families.Today the greatest density of circuit elements per chip can be achieved with the newer MOSFET technology.

Результаты (русский) 1:

Что в конечном итоге обеспечило решение было полупроводникаМикросхема интегральная, концепция которого начали принимать форму через несколько лет после изобретения транзистора. Примерно (приблизительно) между 1 960 и 1963, Новая технология цепи стала реальностью. разработка космических аппаратов представил заключительный толчок для изучения этой проблемы. Появление микроэлектронных схем имеет не, по большей части,изменили характер основных функциональных подразделений: Микроэлектронные устройства по-прежнему состоит из транзисторов, резисторов, конденсаторов и аналогичных компонентов. Основное различие заключается в том, что все эти элементы и их взаимосвязи теперь изготавливаются на одной подложке в одной серии операций. Несколько ключевых событий необходимы, прежде чем захватывающий потенциал интегральных схем может быть реализован.Развитие микроэлектроники зависит на изобретение методов для изготовления различные функциональные подразделения или на кристаллические полупроводниковые материалы. В частности, все большее количество функций были переданы для элементов схемы, которые лучше всего выполнять: транзисторы. Были разработаны несколько видов микроэлектронных транзисторов, и для каждого из них семей связанные цепи развивались элементы и схемы узоров.Биполярный транзистор была изобретена в 1948 году Джон Бардин Walter Н. Браттейн и William Shockley из Bell Telephone Laboratories. В биполярных транзисторов носителей заряда обоих полярностей участвуют в их работе. Они также известны как транзисторов. Npn и pnp Транзисторы составляют класс устройств под названиемтранзисторов.Второй вид транзистора фактически была задумана почти 2 года до биполярного устройства, но его изготовление в количестве не стал практический до начала 1960-х годов. Это транзисторы field - effect.Это соmmоn в микроэлектронике это металл оксид полупроводник транзистор field - effect. Термин относится к трех материалов, используемых в строительстве и сокращенно MOSFET.Два основных типа транзистора, биполярный и МOSFЕТ, микроэлектронных схем делят на две большие семьи.Сегодня наибольшую плотность элементов цепей на чип может быть достигнуто с помощью новой технологии MOSFET.

Результаты (русский) 2:

Что, в конечном счете при условии, что решение было полупроводниковых
интегральная схема, концепция которого начал принимать форму через несколько лет после изобретения транзистора. Примерно (приблизительно) между 1 960 и 1 963, новая технология схема стала реальностью. . Развитие космических аппаратов при условии, что окончательное импульс для изучения проблемы
Появление микроэлектронных схем не имеет, по большей части,
изменили характер основных функциональных блоков: микроэлектронные устройства по-прежнему состоит из транзисторов, резисторов, конденсаторов, и аналогичные компоненты. Основное различие заключается в том, что все эти элементы и их взаимосвязи в настоящее время изготовлены на одной подложке в одной серии операций.
Некоторые ключевые события должны были до перспективными интегральных схем могут быть реализованы.
Развитие микроэлектроники зависит от изобретения . методы получения различных функциональных блоков или на кристалле полупроводниковых материалов
, в частности, все большее число функций были отданы элементов схемы, которые выполняют лучше: транзисторов. Несколько видов микроэлектронных транзисторов были разработаны и для каждого из них семьи, связанных элементов схемы и модели схемы развивались.
биполярный транзистор был изобретен в 1948 году Джон Бардин Вальтер Н. Браттейн и Уильям Шокли из Bell Telephone Laboratories. В биполярных транзисторов носителей заряда обоих знаков участвуют в их работе. Они также известны как соединительные транзисторов. NPN и PNP транзисторы составляют класс устройств, называемых
распределительные транзисторы.
Второй вид транзистора на самом деле задумал почти 2 лет, прежде чем биполярных устройств, но его изготовление в количестве не стал практическим до начала 1960-х годов. Это полевые транзисторы.
тот, который соmmоn в микроэлектронике является металл-оксид-полупроводник полевой транзистор. Термин относится к трем материалов, используемых в строительстве и сокращенное MOSFET.
двух основных типов транзисторных, биполярные и МOSFЕТ, разделите микроэлектронных схем на две большие families.Today наибольшую плотность элементов схемы на чип может быть достигнуто с новее MOSFET технология.

Результаты (русский) 3:

В конечном итоге при условии, что решение - national semiconductor
интегральной схемы, концепция которого начали формироваться через несколько лет после изобретения транзистора. Примерно (приблизи тельно­) между 1 960 и 1963 года, а новые технологии цепи стала реальностью. развития космической транспортных средств при условии, что заключительный импульс для изучения этой проблемы.
Появление серийного цепей в большинстве случаев не,
изменило характер основных функциональных блоков: показать все устройства были по-прежнему, транзисторы, резисторы, конденсаторы, и аналогичные компоненты. Основное отличие состоит в том, что все эти элементы и их соединений в настоящее время изготовить на одной подложке в одной серии операций.
Несколько ключевых событий, захватывающие возможности интегрированных цепей может быть реализован.
развития микроэлектроники зависит от изобретения для различных функциональных подразделений или по crystal semiconductor материалы.
в частности, все больше функций были отданы в цепь элементов, которые лучше работать: транзисторы.Несколько видов микроэлектронная транзисторы, и для каждой из них семей связанного с ней элементов схемы и модели развивались.
биполярный транзистор был изобретен в 1948 году Джон Бардин Вальтер руч. Bardeen и Уильямом Шокли в Bell Telephone Laboratories. В биполярные транзисторы носителей заряда и полярность участвуют в их деятельности.Они также известны как перекресток транзисторы. В коллектор NPN и pnp транзисторов в класс устройства, называемые
перекрестка транзисторов.
второго вида транзистор был фактически была создана почти 2 лет, прежде чем биполярного устройства, но его выпуска в количестве не стало практическим до начала 1960-х годов. Это поле-транзисторы.
Что соmmоn в микроэлектронике - оксидный полупроводник-полевой транзистор. Термин относится к трех материалов в строительстве и используется аббревиатура МОП.
два основных типа транзистор, биполярной и МOSFЕТ, разделите микроэлектронная цепей на два больших семей.Сегодня наибольшую плотность элементов схемы на одну микросхему может быть достигнуто с помощью более новой версии МОП-технологии.