TEXT A. PARAMETRIC AND TUNNEL DIODE

TEXT A. PARAMETRIC AND TUNNEL DIODES
1.The history of the semiconductor diode is held to have begun in the early days of radio when "crystals" were used as signal detectors. However, the operating mechanism of the semiconductor diode remained obscure until the intro¬duction of modern transistor physics. Furthermore, semicon¬ductor diodes were not used as active devices until a p-n junction diode was discovered to be an attractive element for parametric amplifiers. Such a diode, characterized by a variable capacitance, is known to be called a parametric diode. It has a voltage-dependent junction capacitance. In some commercial forms it is also known as a „varactor” diode.
2.Immediately after the introduction of parametric diodes, another semiconductor diode known as the tunnel diode was developed. The tunnel diode is a semiconductor p-n junction somewhat similar to the parametric diode, although its physical principles of operation are entirely different. The operation of the tunnel diode is based on quantum-mechanical tunneling. Parametric diodes and tunnel diodes may be compared as follows:
a) They are both p-n junctions. Physically, they can be manufactured in much the same manner.
b) The operation of parametric diode depends on its nonlinear capacitance, controlled by the applied voltage, while the operation of a tunnel diode depends on its negative resistance, made possible by the tunneling current.
c) They are both two-terminal, negative-resistance devices. .In parametric amplifiers using parametric diodes the negative resistance is derived from an r-f pump through a nonlinear interaction, while in tunnel-diode amplifiers, negative resistance is produced by a simple d-c source.
d ) In a tunnel-diode amplifier the gain-bandwidth product is inversely proportional to the product of the diode capacitance and negative resistance, while in a parametric-diode amplifier the gain-bandwidth product is inversely proportional to the Q of the associated idler circuit.
e) The parametric diode is of a reactive nature, and thus generates very small excess Johnson noise. The noise from a parametric amplifier originates essentially from the asso¬ciated circuitry. As the tunnel diode is dependent on a tun¬neling stream of electrons, it has an inherent shot noise.

Результаты (русский) 1:

ТЕКСТ А. ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ И ДИОДОВ ТУННЕЛЬ 1. История полупроводниковый диод проводится начали в первые дни Радио, когда «кристаллы» были использованы в качестве сигнала детекторов. Однако действующего механизма, полупроводниковый диод оставался неясным до intro¬duction транзистор современной физики. Кроме того semicon¬ductor диоды не использовались в качестве активных устройств до тех пор, пока диод p-n переход был обнаружен привлекательным элементом для параметрических усилителей. Диод, характеризуется переменной емкости, как известно называться параметрический диода. Она имеет емкость напряжени тока зависимых Джанкшен. В некоторых коммерческих форм это также известен как «варактора» диод. 2. сразу после введения параметрический диоды был разработан еще полупроводниковый диод, известный как диод тоннеля. Диод тоннеля является полупроводниковых p-n перехода схоже с Параметрический диод, хотя его физические принципы работы совершенно разные. Операции диод тоннеля на основе квантово механических туннелирование. Параметрические диоды и туннель диоды можно сравнить следующим образом: ) они являются оба соединения p-n. Физически они могут быть изготовлены намного таким же образом. b операция параметрический диод зависит нелинейных емкость, контролируемых приложенного напряжения, в то время как операция диод тоннеля зависит от его отрицательным сопротивлением, стало возможным благодаря туннелирование текущей. c) они обе две терминал, отрицательные сопротивление устройства. . В параметрических усилителей с использованием параметрических диоды, отрицательное сопротивление является производным от r-f насос через нелинейное взаимодействие, в туннель диод усилители, отрицательное сопротивление производится простой источник d-c. d) в тоннель диод усилитель продукт полоса усиления обратно пропорциональна продукт диода емкости и отрицательного сопротивления, в то время как в параметрические диод усилитель продукт полоса усиления обратно пропорциональна Q связанного натяжной цепи. e параметрических диод имеет реактивный характер и таким образом создает очень небольшой избыточный шум Johnson. Шум от параметрический усилитель по сути происходит от asso¬ciated схемы. Как диод тоннеля зависит от tun¬neling потока электронов, он имеет присущие Дробовой шум.

Результаты (русский) 2:

TEXT А. параметрических и туннельных диодов
1. История полупроводникового диода проводится начались в первые дни, когда радио "кристаллы" были использованы в качестве сигнальных датчиков. Тем не менее, механизм работы полупроводникового диода оставалась неясной до intro¬duction современной физики транзистора. Кроме того, semicon¬ductor диоды не были использованы в качестве активных устройств до тех пор, рп перехода диод не было обнаружено, чтобы быть привлекательным элементом для параметрических усилителей. Такой диод, характеризуется переменной емкости, как известно, можно назвать параметрическим диодом. Она имеет потенциал-зависимого емкость перехода. В некоторых коммерческих форм он также известен как "варакторной" диода.
2.Immediately после введения параметрических диодов, был разработан еще один полупроводниковый диод известен как туннельного диода. Туннельного диода является полупроводником р перехода несколько похожа на параметрическом диоде, хотя его физические принципы работы совершенно разные. Операция туннельного диода на основе квантово-механического туннелирования. Параметрический диоды и туннельные диоды можно сравнить следующим образом:
а) они являются оба р-п переходов. Физически они могут быть изготовлены в той же манере.
Б) Действие параметрического диода зависит от его нелинейной емкостью, контролируемой приложенного напряжения, в то время как работа туннельного диода зависит от его отрицательное сопротивление, стало возможным благодаря туннельного тока .
в) Они оба два терминала, отрицательного сопротивления устройства. .В Параметрические усилители, использующие параметрические диоды отрицательного сопротивления происходит от ВЧ насосом через нелинейного взаимодействия, в то время как в туннельных диодах усилителей, отрицательное сопротивление производится с помощью простого источника постоянного тока.
Г) усилитель туннельного диода прирост пропускной способности Продукт обратно пропорциональна произведению емкости диода и отрицательным сопротивлением, а в усилителе параметрического диода продукт усиления на ширину полосы пропускания обратно пропорциональна добротности связано холостой цепи.
д) параметрического диода реактивной природы, и, таким образом, создает очень небольшой избыток тепловой шум. Шум от параметрического усилителя происходит, по существу от asso¬ciated схемы. Как туннельный диод зависит от tun¬neling поток электронов, он имеет собственные шумы выстрел.