The two basic types of transistor,

The two basic types of transistor, bipolar and MOSFET, divide microelectronic circuits into two large families. Today the greatest density of circuit elements per chip can be achieved with the newer MOSFET technology.

An individual integrated circuit (IC) on a chip now can embrace (включать) more electronic elements than most complex piece of electronic equipment that could be built in 1950.

In the first 15 years since the inception of integrated circuits, the number of transistors that could be placed on a single chip (with tolerable yield) has doubled every year. The 1980 state of art50 is about 70K density per chip. Nowadays we can put a million transistors on a single chip.

The first generation of commercially produced microelectronic devices are now referred to as small-scaleintegrated circuits (SSI). They included a few gates. The circuitry defining a logic array53 had to be provided by external conductors.

Результаты (русский) 1:

Два основных типа транзистора, биполярный и MOSFET, разделите микроэлектронной цепи на две большие семьи. Сегодня наибольшую плотность элементов цепей на чип может быть достигнуто с новой технологией MOSFET.Индивидуальный интегральной схемы (IC) на чипе теперь может обнимать (включать) больше электронных элементов, чем наиболее сложной части электронного оборудования, который может быть построен в 1950 году.В первые 15 лет с момента создания интегральных схем число транзисторов, которые могут быть размещены на одном кристалле (с допустимой доходностью) увеличилось вдвое каждый год. 1980 года состояние art50 — около 70 K плотности на чип. В настоящее время мы можем поставить миллион транзисторов на одном чипе.Первое поколение коммерчески производимых микроэлектронных устройств теперь называются малые scaleintegrated цепей (SSI). Они включали несколько ворот. Схема определения логики array53 должны быть обеспечены внешними проводниками.

Результаты (русский) 2:

Два основных типа транзистора, биполярных и МОП - транзистора, делят микроэлектронные схемы на две большие семьи. На сегодняшний день наибольшая плотность элементов схемы на одном кристалле может быть достигнуто с помощью новой технологии МОП - транзистор.

Индивидуальный интегральная схема (ИС) на чипе теперь может охватить (включать) более электронных элементов , чем самый сложный кусок электронного оборудования , которое может быть построен в 1950 году .

В течение первых 15 лет с момента создания интегральных схем, количество транзисторов , которые могут быть размещены на одном кристалле (с допускаемой выходом) удвоилась с каждым годом. 1980 состояние art50 составляет около 70K плотность на чипе. В настоящее время мы можем поставить миллион транзисторов на одном кристалле.

Первое поколение серийно выпускаемых микроэлектронных устройств теперь называются малыми-scaleintegrated цепей (SSI). Среди них несколько ворот. Схема определения логики array53 должна была быть обеспечена внешними проводниками.

Результаты (русский) 3:

два основных вида транзистор, биполярное расстройство и MOSFET, разделить микроэлектронных цепей на два больших семей.сегодня наибольшую плотность элементами цепи на чип может быть достигнуто с новыми MOSFET технологии.индивидуальный интегральных (IC) на чип может принять (включать) более электронных элементов, чем большинство сложного электронного оборудования, которые могут быть построены в 1950 году.в первые 15 лет с момента создания интегрированных схем, число транзисторов, которые могли бы быть включены в один чип (с допустимой доходность), увеличилось в два раза в год.в 1980 году государство art50 составляет около 70k плотность на чип.сегодня мы можем положить миллионов транзисторов на один чип.первого поколения микроэлектронных устройств, производятся на коммерческой основе, теперь называют малыми scaleintegrated цепи (сгб).они включают несколько ворот.схемы, которые в определении логики array53 предоставлялись внешние провода.