The success of silicon in microelec

The success of silicon in microelectronics is believed to be largely attributed to excellent properties of SiO interface and ease of thermal oxidation of silicon .

Результаты (русский) 1:

Считается, что во многом объясняется отличными свойствами SiO интерфейса и простота термического окисления кремния успех кремния в микроэлектронике.

Результаты (русский) 2:

Успех кремния в микроэлектронике, как полагают, в значительной степени объясняется отличным свойствам интерфейса SiO и простоты термического окисления кремния.

Результаты (русский) 3:

успех силикона в микроэлектронике, считается главным образом объясняется отличные свойства sio интерфейс и легкость термического окисления кремния.