The potential of integrated circuit

The potential of integrated circuits is so wide that in addition to replacing similar discrete component circuits they are responsible for creating a completely new technology of circuit design.
There are two basic approaches to modern microelectronics – monolithic integrated circuits and film circuits.
In monolithic ICs all circuit elements, active and passive, are simultaneously formed in a single small wafer of silicon. The elements are interconnected by metallic stripes deposited onto the oxidized surface of the silicon wafer, Monolithic ICs are made by a diffusion process.
Film circuits are made by forming the passive electronic component and metallic interconnections on the surface of an insulation substrate. Then the active semiconductor devices are added, usually in discrete wafer form. There are two types of film circuits, thin film and thick film.
In thin film circuits the passive components and interconnection wiring are formed on glass or ceramic substrates, using evaporation techniques. The active components (transistors and diodes) are fabricated as separate semiconductor wafers and assembled into the circuit.
Thick film circuits are prepared in a similar manner except that the passive components and wiring are formed by silk-screen techniques on ceramic substrates.
There can be many instances where the microelectronic circuit may combine more than one of these approaches in a single structure, using a combination of techniques.
Hybrid ICs are combinations of monolithic and film techniques. Active components are formed in a wafer of silicon using the planar process, and the passive components and interconnection wiring pattern formed on the surface of silicon oxide which covers the wafer, using evaporation techniques.

Результаты (русский) 1:

Потенциал интегральных схем настолько широкий, что помимо замены аналогичного дискретных компонентов схемы они отвечают за создание com pletely новая технология схемотехника.Существует два основных подхода к современной микроэлектроники – монолитных интегральных схем и цепей пленки.В монолитных ICs все элементы схемы, активные и пассивные, являются simulta neously, в одной небольшой пластины кремния. Элементы Интеркон готовления металлическими полосками на окисленной поверхности кремния wa ТЭР, монолитные ICs производятся процесс диффузии.Схемы пленки производятся путем формирования пассивных электронных компонентов и металлических межсоединений на поверхности изоляции субстрата. Затем ac tive полупроводниковых устройств добавляют, обычно в виде дискретных пластин. Существует два типа пленки цепей, тонкая пленка и толстая пленка.В цепях тонкой пленки на стеклянной или керамической подложке, с использованием методов испарения образуется пассивные компоненты и соединения проводки. Активные компоненты (транзисторы и диоды) изготавливаются как отдельных полупроводниковых пластин и смонтирован в цепь.Толстые пленки схемы готовятся аналогичным образом за исключением того, что пассивные компоненты и проводки формируются методом шелкографии на керамических sub стратам.Там может быть много случаев, когда микроэлектронных цепь может com bine более одного из этих подходов в единую структуру, с помощью combina Тион методов.Гибридные ICs — это комбинации монолитных и техники. Активные компоненты формируются в Вафля кремния с помощью планарной процесса, а пассивные компоненты и соединения проводки шаблон формируется на поверхности оксида кремния, который покрывает пластины, с использованием методов испарения.

Результаты (русский) 2:

Потенциал интегральных схем настолько широк , что в дополнение к замене аналогичных дискретных цепей компонентов они несут ответственность за создание ком полностью новую технологию проектирования схем?.
Есть два основных подхода к современной микроэлектронике -. Монолитные интегральные схемы и схемы пленки
в монолитном ИС все элементы схемы, активные и пассивные, являются Simulta? новременно образуются в одной небольшой пластины кремния. Элементы Intercon? Подключенные металлическими полосками , осажденных на окисленной поверхности кремниевого ва? FER, монолитные микросхемы выполнены с помощью процесса диффузии.
Схемы пленки изготовлены путем формирования пассивных электронных компонентов и металлических межсоединений на поверхности изолирующей подложки , Затем переменный ток? Ный полупроводниковые устройства добавляются, как правило , в дискретной форме пластины. Есть два типа схем пленки, тонкой пленки и пленки толщиной.
В тонких пленочных схемах пассивных компонентов и разводка сформированы на стеклянных или керамических подложек, с использованием методов испарения. Активные компоненты (транзисторы и диоды) изготовлены в виде отдельных полупроводниковых пластин и собраны в цепь.
Густые цепи пленки получают таким же образом , за исключением того, что пассивные компоненты и проводки формируются методами шелкографии на керамическом суб? Ложках.
Там может быть много случаев , когда микроэлектронной схема может COM? BINE более чем один из этих подходов в единую структуру, используя COMBINA? ных методов.
Гибридные ИС представляют собой комбинации монолитных и пленочных методов. Активные компоненты образуются в узоре кремния с использованием процесса плоскостной, а пассивные компоненты и разводка структуры , образованной на поверхности оксида кремния , который покрывает пластины, с использованием методов испарения.