The important feature of the planar

The important feature of the planar process is the deposition of a silicon dioxide layer on the top surface of the epitaxial wafer, which acts as a mask against diffusion. The process involves exposing the wafer to an oxygen atmosphere at high temperature.

Результаты (русский) 1:

Важной особенностью процесса Вселенский является осаждения двуокиси кремния слоя на верхней поверхности эпитаксиальных пластин, которая выступает в качестве маски против диффузии. Этот процесс включает подвергая вафли в атмосфере кислорода при высокой температуре.

Результаты (русский) 2:

Важной особенностью процесса является плоской осаждение слоя диоксида кремния на верхней поверхности эпитаксиального пластины, которое выступает в качестве маски против диффузии. Процесс включает воздействие на пластину атмосфере кислорода при высокой температуре.

Результаты (русский) 3:

важной особенностью планарная технология является осаждение из двуокиси кремния слоя на верхней поверхностью эпитаксиальные пластины, которая действует как маска против распространения.этот процесс предусматривает выявление пластин для кислородной атмосферы при высоких температурах.