Problems in Microelectronics Circui

Problems in Microelectronics Circuit Technology

To understand how microcircuits can be made, it's necessary to review the physical nature of semiconductor materials. The semiconductors are intermediate between conductors and insulators: they are partially conductive. There are so-called natural semiconductors, but there is one problem - they have a poor conductivity. To increase it, there are two independent lines of development of integrated circuits: the semiconductor technology and film technology.
To improve the semiconductor crystal, the impurities are added to the silicon to produce a special type of conductivity characterized by positive or negative charge. It is semiconductor p-type and n-type. For example, if silicon is doped with boron, then it is a p-type. In p-type semiconductor there are so-called holes which are charge carriers. If silicon doped with phosphorus, then it's a n-type. In that case the electrons are a charge carriers. A transistor can be made from p-type semiconductor which sandwiched between two n-type semiconductors.
Before the invention of transistor the microelectronic has studied the properties of thin film of metallic and insulating materials. The film can be deposited by through a mask onto the substrate or by etching to form the outlines. In this way many identical thin-film devices can be made on a single substrate.
Plasma-etching process is playing an important role in manufacture of semiconductors. It has important advantages of cost, cleanliness, fine-line resolution and potential for production line automation.
Nowadays the procedures by which ICs are transformed from the conception to a physical reality are made with the help of computers. Integrated circuit technology is evolving so fast that even a period as short as six months can produce a great change.

Результаты (русский) 1:

Проблемы в технологии микроэлектроники цепи Чтобы понять, как можно сделать микросхемы, необходимо пересмотреть физическую природу полупроводниковых материалов. Полупроводники промежуточное положение между проводники и изоляторы: они частично токопроводящих. Так называемые природные полупроводников, но есть одна проблема - они имеют плохой проводимости. Чтобы увеличить его, существуют две независимые линии развития интегральных схем: полупроводниковые технологии и технологии. Чтобы улучшить полупроводниковый кристалл, примеси добавляются кремния для создания специального типа проводимости, характеризуется положительный или отрицательный заряд. Это полупроводник p типа и n типа. Например если кремний легированный бором, то это p типа. В полупроводник p типа есть так называемые отверстия, которые являются носителями заряда. Если кремний легированный фосфором, то это n типа. В этом случае электроны являются носителями заряда. Транзистор может производиться из полупроводник p типа, который зажатой между двумя полупроводников n типа. До изобретения транзистора микроэлектронных изучила свойства тонкой пленки из металлических и изоляционных материалов. Фильм может быть сданным на хранение через маску на подложку или травлением, чтобы сформировать контуры. Таким образом много идентичных тонкопленочных устройств могут быть сделаны на одной подложке. Плазма вытравливания процесс играет важную роль в производстве полупроводников. Это имеет важные преимущества стоимости, чистота, Файн лайн резолюции и потенциал для автоматизации производственной линии. В настоящее время процедуры, в которых ICs преобразованы от зачатия до физической реальности сделаны с помощью компьютеров. Микросхема интегральная технология развивается настолько быстро, что даже период как шесть месяцев может произвести большие изменения.

Результаты (русский) 2:

Проблемы в микроэлектронике Circuit Technology

Для того, чтобы понять , как микросхемы могут быть сделаны, необходимо рассмотреть физическую природу полупроводниковых материалов. Полупроводники занимают промежуточное положение между проводниками и изоляторами: они частично проводящими. Есть так называемые естественные полупроводники, но есть одна проблема - они имеют плохую проводимость. Чтобы увеличить его, есть две независимые линии развития интегральных схем: полупроводниковой технологии и пленочной технологии.
Для улучшения полупроводникового кристалла, примеси добавляют к кремнию , чтобы произвести специальный тип проводимости , характеризующийся положительным или отрицательным зарядом. Это полупроводник р-типа и п-типа. Например, если кремний , легированный бором, то он является р-тип. В полупроводнике р-типа существуют так называемые дырки , которые являются носителями заряда. Если кремний , легированный фосфором, то это п-типа. В этом случае электроны являются носителями заряда. Транзистор может быть выполнен из полупроводника р-типа , который зажат между двумя полупроводниками п-типа.
До изобретения транзистора микроэлектронной изучил свойства тонкой пленки металлических и изоляционных материалов. Пленка может быть осажден через маску на подложку или травлением , чтобы сформировать контуры. Таким образом , много идентичных тонкопленочных могут быть изготовлены на одной подложке.
Плазменный процесс травления играет важную роль в производстве полупроводников. Это имеет важные преимущества с точки зрения затрат, чистоты, тонкой линии разрешающей способности и потенциал для автоматизации производства.
В настоящее время процедуры , с помощью которых ИС трансформируются от концепции к физической реальности сделаны с помощью компьютеров. Технология Интегральная схема развивается так быстро , что даже период короче шести месяцев может произвести большие изменения.

Результаты (русский) 3:

проблемы в сфере микроэлектроники цепь, технологиичтобы понять, как микросхем может быть достигнут, это необходимо для изучения физических характер полупроводниковых материалов.микросхем являются промежуточными между провода и изоляторов: они частично электропроводящих.существует так называемый естественный полупроводников, но есть одна проблема - у них плохой проводимости.его увеличить, есть два независимых направления развития интегральных схем: полупроводниковой технологии и фильм технологии.в целях улучшения полупроводниковых кристалл, примесей, добавлены в силиконовой подготовить специальный тип проводимость характерен положительный или отрицательный заряд.это p-type полупроводников и n-type.например, если кремния забиты с бора, это p-type.в полупроводник p - типа существуют так называемые дыры, которые за перевозчиков.если силиконовой забиты с фосфором, значит, это n-type.в этом случае электроны будут за счет перевозчиков.транзистор может производиться из полупроводник p - типа, которые зажаты между двумя n-type полупроводников.до изобретения транзистор в микроэлектронных изучал свойства тонкопленочных металлических и изоляционных материалов.фильм может быть депонированы через маску на подложку или травление в виде набросков.таким образом, многие идентичные тонкопленочных устройств могут быть сделаны на одно изделие.плазма разъедание играет важную роль в производстве полупроводников.он имеет важные преимущества экономии, чистоты, тонкая линия резолюции и потенциал для производства линии автоматизации.в настоящее время процедур, с помощью которых мпс превращаются из концепцию физическую реальность производятся с помощью компьютеров.интегральных технологии развиваются так быстро, что даже в период короткие, как шесть месяцев может привести к большим переменам.