Contributing greatly to the manufac

Contributing greatly to the manufacturing technique is а unique
crystal forming method known as epitaxial growth.
Epitaxial growth in combination with oxide masking and diffusion has given the device designer extremely flexible tools for making
an almost limitless variety of structures.
After 1964, epitaxial growth remains an important technique in
semiconductor device fabrication, and the demand for improved device yield per slice, still higher device operating frequencies and more
sophisticated device structures, has needed continuing innovation
and development.
Advances in silicon crystal growth technology have encouraged
advances in the automation of crystal growing equipment. Crystal pulling equipment now available uses computer software to control all
the growing parameters.

Результаты (русский) 1:

Во многом способствует технология производства – а уникальный Кристалл, формируя метод, известный как эпитаксиального роста. Эпитаксиального роста в сочетании с оксидом маскировки и диффузии дал устройства конструктора чрезвычайно гибкие инструменты для изготовления почти безграничное разнообразие структур. После 1964 года эпитаксиального роста остается важным методом в Изготовление полупроводниковых устройств и спрос на улучшение устройства выход на срез, еще более высоких рабочих частот устройства и многое другое сложные структуры устройств, необходимо продолжение инновацийи развитие. Достижения в технологии роста кристаллов кремния способствовали достижения в области автоматизации оборудования выращивания кристаллов. Кристалл тяговое оборудование теперь использует компьютерное программное обеспечение для управления всеми растущих параметров.

Результаты (русский) 2:

Внесли большой вклад в технологии производства является а уникальный
кристалл метод формирования известный как эпитаксиального роста.
Рост эпитаксиальной в сочетании с оксидом маскирования и диффузии дал конструктор устройство чрезвычайно гибкие инструменты для изготовления
почти бесконечное разнообразие структур.
После 1964 г. эпитаксиальный рост остается важный метод в
производстве полупроводниковых устройств, а спрос на улучшение урожайности устройства на ломтик, еще более высокие эксплуатационные устройства частот и более
сложных структур устройств, нуждалось продолжения инноваций
и развития.
прогресс в области технологии выращивания кристаллов кремния способствовали
достижения в области автоматизации выращивания кристаллов оборудование. Кристалл вытягивать оборудование теперь доступно использует компьютерное программное обеспечение для управления всеми
растущих параметров.

Результаты (русский) 3:

вносит большой вклад в производство техники, а уникальныйкристал, являющийся метод, известный как эпитаксиальные роста.эпитаксиальные роста в сочетании с азота) и распространения дал устройство дизайнера очень гибкой, инструменты для созданияпочти неограниченную различных структур.после 1964 года эпитаксиальные экономический рост по - прежнему важного методаполупроводниковые приборы фальсификации, и спрос на улучшение устройство улов на кусок, еще более высокой частоты и устройствосложное устройство структур, необходимо постоянное обновлениеи развития.прогресс в технологии способствовали кристаллов кремнияуспехи в области автоматизации выращивания кристаллов оборудования.кристал, вытаскивая оборудования в настоящее время использует программное обеспечение для контроля всехвсе параметры.