Compared to NOR flash, replacing si

Compared to NOR flash, replacing single transistors with serial-linked groups adds an extra level of addressing. Whereas NOR flash might address memory by page then word, NAND flash might address it by page, word and bit. Bit-level addressing suits bit-serial applications (such as hard disk emulation), which access only 1 bit at a time. Execute-In-Place applications, on the other hand, require every bit in a word to be accessed simultaneously. This requires word-level addressing. In any case, both bit and word addressing modes are possible with either NOR or NAND flash.

Результаты (русский) 1:

По сравнению с NOR flash, заменяя один транзисторы с серийным, связанных групп добавляет дополнительный уровень адресации. В то время как вспышка может адрес памяти на странице слово, NAND flash может адресовать его на странице, слова и бит. Бит уровень адресации подходит для бит serial приложений (например, Эмуляция жесткого диска), которые доступ только 1 бит в то время. Выполнение в месте приложения, с другой стороны, требуют каждый бит в слове, чтобы быть доступны одновременно. Для этого слова уровня адресации. В любом случае, как и слово, режимы адресации можно с либо или NAND flash.

Результаты (русский) 2:

По сравнению с NOR флэш, заменив одиночные транзисторы с последовательными связями групп добавляет дополнительный уровень адресации. В то время как NOR флэш может адресовать память постранично, то слово, NAND Flash может адресовать его на странице, слова и бит. Бит уровня адресации Подходит битам приложений (например, эмуляции жесткого диска), что доступ только 1 бит за один раз. Execute-In-Place приложений, с другой стороны, требует каждый бит в слове, чтобы получить доступ одновременно. Это требует на уровне слова адресации. В любом случае, оба разрядные и слово режимы адресации возможны либо с NOR или NAND флэш-памяти.

Результаты (русский) 3:

по сравнению с не молния, замена одного транзисторы с серийным групп, связанных с добавляет дополнительный уровень удовлетворения.в то время как ни молния может решить памяти NAND flash. тогда слово, может выступить на странице слово и немного.немного уровне решения костюмы - серийный приложений (таких как жесткий диск подражания), в котором доступ только 1 бит на время.исполнить на место приложения, с другой стороны, требует, чтобы каждый бит в слова, чтобы получить одновременно.это требует слова уровне решения.в любом случае, и немного и слово решения можно либо с видами ни или NAND Flash.