1) 1 n microelectronics, the steady reduction of 1 С feature sizes 1 , перевод - 1) 1 n microelectronics, the steady reduction of 1 С feature sizes 1 , русский как сказать

1) 1 n microelectronics, the steady

1) 1 n microelectronics, the steady reduction of 1 С feature sizes 1 ,
accompanied Ьу high cuпent densities and increasing den1ands of electrical
performance, has focused the attention oftechnologists on newer
materials which exhibit 2 characteristics such as low contact resistance,
reduced vulnerdbility 3 to electron1igration, and processibility 4
at low temperatures.
Ovcr the years, the device size has been reduced tremendously.
Improven1ents availaЬie 5 in materials technology have allowed integration
of n1ore and n1orc devices on the same chip resulting in increased
area. According to t he theory of scaling, the smaller dimensions
of а M O S transistor should enhance 6 its speed . This should
proportionally increase the circuit speed. lndeed, for smaller circuits
it does happen. However, for large circuits, t he time delays 7 associated
with the i nterconnections can play а significant 8 role in determining 9
the performance of the ci rcuit.
As the minimun1 feature size is n1ade smaller, the area of cross
section of t he interconnection also reduces. At the same time а h igher
integration level 10 allows the chip area to i ncrease, causing the lengths
of the interconnections to increase. The net 1 1 effect of this "scaling of
interconnections" is reflected into an appreciaЬie 12 RC time delay. For
а very large chip with extremely small geometries, the tin1e delay associated
with interconnections could become an appreciaЬle portion of
the total time delay, and hence t he circuit performance could no longer
Ье decided Ьу device performance.
Thus, as the c hip a rea is increased and other device-related 13
dimensions are decre ased the i ntercon nection time delay becomes
significant compared to the device tin1e del ay and dominates the chip
Performance. These are dominant factors limiting device performance.
0/5000
Источник: -
Цель: -
Результаты (русский) 1: [копия]
Скопировано!
1) 1 n микроэлектроники, неуклонное сокращение 1 С особенность размеров 1,увеличение den1ands электромонтажных и сопровождается Ьу высокой cuпent плотностипроизводительность, сосредоточила внимание oftechnologists на новыхматериалы, которые exhibit 2 характеристики, такие как низкое сопротивление контакта,снижение vulnerdbility 3 electron1igration и технологичность 4при низких температурах.Ovcr лет, устройства значительно уменьшен размер.Improven1ents availaЬie 5 в технологии материалов позволили интеграцииn1ore и n1orc устройств на одной микросхеме, что в увеличиласьплощадь. По словам t он теории масштабирования, меньшие размерыа транзистор M O S должен повысить 6 его скорость. Это должнопропорционально увеличить скорость цепи. lndeed, для небольших цепейэто произойдет. Однако для больших цепей, t он время задержки 7 связанныес я nterconnections может играть а значительные 8 роль в определении 9производительность ci rcuit.Как minimun1 функция размер является n1ade меньше, площадь крестраздел t он взаимоподключения также уменьшает. В же время а h igher10 уровень интеграции позволяет чип области я наращивать, вызывая длиныиз межсоединений для увеличения. Net 1 1 эффект этого «масштабированиеобъединение» отражено в appreciaЬie 12 RC время задержки. ДляА очень большой чип с очень небольшой геометрией, tin1e задержек, связанныхс межсоединений может стать частью appreciaЬleОбщее время задержки, и следовательно t он цепи производительности больше не можетЬе решил Ьу производительность устройства.Таким образом как c hip rea является увеличение и других связанных с устройством 13размеры являются decre ased i ntercon связи времени задержкизначительные по сравнению с Ай-дель-tin1e устройство и доминирует чипПроизводительность. Они являются доминирующим факторы, ограничивающие производительность устройства.
переводится, пожалуйста, подождите..
Результаты (русский) 3:[копия]
Скопировано!
1) 1 N микроэлектроники, неуклонное сокращение 1с особенность размеров 1вместе с Ьу высокой плотности и т.п den1ands тс лор - увеличение электрическихпоказатели, сосредоточил внимание на новые oftechnologistsматериалы, которые имеют 2 таких характеристик, как с низким контактом сопротивлениясокращение vulnerdbility 3 - electron1igration, и processibility 4при низких температурах.ovcr лет, размер устройства был сокращен огромный.improven1ents availa Ь IE 5 материалов, технологий позволили интеграциииз n1ore и n1orc устройств на же чип, что привело к увеличениюрайон.согласно теории расширения не он, меньшие размерыа м - S транзистор из должны повысить 6 его скорость.это должнопропорционально увеличению округа скорости.конечно, для небольших сетейэто случится.однако для крупных сетей, не время задержки 7 ассоциированныхс меня nterconnections может играть роль в определении, а значительные 8 9работы ci rcuit.как minimun1 функция размер n1ade меньше, площадь крестасекция не объединения также снижает.в то же время, а ч igherинтеграция на уровне 10 позволяет чип район, я ncrease, в результате чего длиныиз объединения увеличится.чистый 1 1 последствия этого "масштабированиеобъединение "отражено в apprecia Ь IE 12 RC срок.дляа очень большой чип с крайне малым геометрии, tin1e задержек, связанныхс объединения могут стать apprecia Ь le частьобщее время задержки, и, следовательно, не может не цепи работыЬе решил Ьу устройство в исполнении.таким образом, как с хип а аэс увеличивается и другие устройства, связанной с 13размеры decre ased я ntercon nection задержка становитсязначительным по сравнению с устройством tin1e - дель - эйе и доминирует на чиппоказатели.они являются доминирующими факторами ограничения скорости работы.
переводится, пожалуйста, подождите..
 
Другие языки
Поддержка инструмент перевода: Клингонский (pIqaD), Определить язык, азербайджанский, албанский, амхарский, английский, арабский, армянский, африкаанс, баскский, белорусский, бенгальский, бирманский, болгарский, боснийский, валлийский, венгерский, вьетнамский, гавайский, галисийский, греческий, грузинский, гуджарати, датский, зулу, иврит, игбо, идиш, индонезийский, ирландский, исландский, испанский, итальянский, йоруба, казахский, каннада, каталанский, киргизский, китайский, китайский традиционный, корейский, корсиканский, креольский (Гаити), курманджи, кхмерский, кхоса, лаосский, латинский, латышский, литовский, люксембургский, македонский, малагасийский, малайский, малаялам, мальтийский, маори, маратхи, монгольский, немецкий, непальский, нидерландский, норвежский, ория, панджаби, персидский, польский, португальский, пушту, руанда, румынский, русский, самоанский, себуанский, сербский, сесото, сингальский, синдхи, словацкий, словенский, сомалийский, суахили, суданский, таджикский, тайский, тамильский, татарский, телугу, турецкий, туркменский, узбекский, уйгурский, украинский, урду, филиппинский, финский, французский, фризский, хауса, хинди, хмонг, хорватский, чева, чешский, шведский, шона, шотландский (гэльский), эсперанто, эстонский, яванский, японский, Язык перевода.

Copyright ©2025 I Love Translation. All reserved.

E-mail: