For n-type diffusion the most gener

For n-type diffusion the most generally used dopants are phosphorus and arsenic. The cycle is supposed to be repeated yet a third time. The emitter window is sealed by oxidization, the emitter dopant is driven in, and new windows are etched in the oxide layer to define the contact areas.Finally, the contacts are made by the evaporation of aluminium.

In practice many devices are manufactured at the same time on a single sheet of silicon. These are separated by scribing with a diamond stylus and breaking into individual chips. They are then mounted in suitable packages which allow electrical connections to be readily made and power, dissipated as heat, to escape.

It is necessary to be able to electrically isolate individual devices from each other. This is done by surrounding each component with material of opposite polarity and reverse biasing the semiconductor junction so formed

Результаты (русский) 1:

Для n типа распространения наиболее обычно используется активаторов фосфора и мышьяк. Предполагается, что цикл будет повторяться еще третий раз. Излучатель окно запечатан окисления, эмиттера примеси управляется в, и новые окна запечатлелись в слой оксида для определения зон контакта. Наконец контакты сделаны испарения алюминия.На практике многие устройства производятся в то же время на одном листе кремния. Они разделяются скрайбирования с помощью алмазов стилуса и разбиения на отдельные чипы. Затем они монтируются в подходящие пакеты, которые позволяют электрические соединения легко и власть, рассеивается в виде тепла, чтобы избежать.Это необходимо иметь возможность электрически изолировать отдельных устройств друг от друга. Это делается путем окружать каждый компонент с материалом противоположной полярности и обратного смещения полупроводниковые соединения так формируется

Результаты (русский) 2:

Для п-типа диффузии наиболее обычно используется легирующие являются фосфор и мышьяк. Цикл должен быть повторен еще в третий раз. Окно излучатель печатью окисления, эмиттер легирующей примеси приводится в, и новые окна травлению в слое оксида чтобы определить контакт areas.Finally, контакты выполнены за счет испарения алюминия. На практике многие устройства изготавливаются на то же время на одном листе кремния. Они разделены скрайбирования алмазным пером и взлома отдельных чипов. Затем они установлены в соответствующих пакетах, которые позволяют электрические соединения должны быть легко получены и мощность, рассеивается в виде тепла, чтобы избежать. Это необходимо, чтобы иметь возможность электрической изоляции отдельных устройств друг от друга. Это можно сделать, окружающих каждый компонент с материалом противоположной полярности и обратного смещения полупроводниковый переход, образованный таким

Результаты (русский) 3:

для n-type распространения наиболее обычно dopants являются фосфора и мышьяк.цикл должен повторяться, но в третий раз.эмиттер окно опечатано окисления, эмиттер допант движется, и новые окна запечатлелись в слой окиси определить контактные области. и, наконец, контакты осуществляются испарения алюминия.

на практике многие устройства производятся одновременно на одном листе кремния.они разделены scribing алмазным стилусом и вломились в отдельных чипов.они тогда смонтирована в соответствующие пакеты, которые позволяют электрические соединения легко и власть, исчезнет, как тепло, бежать.

нужно уметь электрически изоляции отдельных устройств, друг от друга.это сделано, вокруг каждого компонента материалом напротив полярности и обратить вспять сказаться полупроводниковой перекрестка так сформированных