The diffusion theory of rectificati

The diffusion theory of rectification on the boundary of the two semiconductors was elaborated bу В. l. Davydov, а Soviet physicist , in 1938. Experimental support of his theory was of great importance in the investigation of processes occurring in p-n junctions.

Результаты (русский) 1:

Теория диффузии ректификации на границе двух полупроводников был разработаны Михаила В. л. Давыдов, а Советский физик, в 1938 году. Экспериментальная поддержка его теории имеет большое значение в исследовании процессов, происходящих в местах соединения p-n.

Результаты (русский) 2:

Теория диффузии ректификации на границе двух полупроводников был разработан web-сайта В. л. Давыдов, а советский физик, в 1938 году экспериментальную поддержку его теории имело большое значение при исследовании процессов, происходящих в р-п переходов.

Результаты (русский) 3:

распространение теория об исправлении на границе двух полупроводников был разработан в у в.л. давыдов, а советский физик, в 1938 году.экспериментальное подтверждение его теории, имеет важное значение для расследования процессов, происходящих в полупроводниковый перекрестки.