The early history of modern semicon

The early history of modern semiconductor technology can bе traced 26 to December 1947 when J. Bardeen and W. Brattain observed transistor action through point contacts applied to polycrystalline germanium. Germanium has become the material in con1mon use. It was realized that transistor action occurred within the single grains of polycrystalline material.

Результаты (русский) 1:

Ранняя история современной полупроводниковой технологии может быть прослежена 26 декабря 1947 года, когда д. Бардин и Браттейн у. наблюдали действие транзистор через точку контактов применяется к германий поликристаллический. Германия стала материалом в con1mon использования. Стало понятно, что транзистор действие произошло в пределах одного зерна поликристаллического материала.

Результаты (русский) 2:

Ранняя история современной полупроводниковой технологии можно проследить 26 Бе по декабрь 1947 года, когда Дж Бардин и У. Браттейн наблюдается транзисторный действие через точечные контакты применительно к поликристаллического германия. Германий стал материал в con1mon использования. Это стало ясно, что транзистор действие происходило в отдельных зерен поликристаллического материала.

Результаты (русский) 3:

в начале истории современной полупроводниковой технологии могут б е обнаружены 26 декабря 1947 года, когда джон бардин и W. браттейн отметил транзистор действий через точки контактов применительно к поликристаллического германий.германия стала материала в con1mon использования.было отмечено, что действия произошли в течение одного зерна транзистор поликристаллических материала.