SX1308 booster module carrying SX13

SX1308 booster module carrying SX1308 chip, its packagnig is small, and high efficiency. The output power can be adjust, maximum can arrive 28V and its interior integrate the lowest RDS internal resistance 100mΩ metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet), which can realize large current output of up to 2A.

Features:
1. Oscillation frequency 1.2MHz
2. Efficiency is as high as 95%
3. Circuit has short circuit protection, overheating protection function
4. 10k to adjust potentiometer, adjust the output voltage
5. Used in 3G network products, digital products, mobile power supply,battery power supply, equipment, etc.

Technical parameters:
1. Maximum input voltage: DC 2-24V
2. Maximum output voltage: DC 2-28V
3. Switching frequency: 1.2MHz
4. Maximum current output: 2A

Package included:
1 x SX1308 Booster Module

Результаты (русский) 1:

SX1308 усилитель модуль нося SX1308 чип, его packagnig является небольшим и высокой эффективностью. Выходная мощность может быть настроить, максимум можно прибыть 28V и его интерьер интегрировать низкие RDS внутреннее сопротивление 100mΩ окиси металла полупроводника полевой транзистор (mosfet), который может реализовать большие токовый выход из до 2А.Особенности:1. частота 1,2 МГц2. эффективность достигает 95%3. схема имеет защита от короткого замыкания, перегрева функции защиты4. 10 k для регулировки потенциометра, отрегулируйте выходного напряжения5. используется в 3G сети продукции, цифровых продуктов, мобильный источник питания, батареи питания, оборудование, и т.д.Технические параметры:1. Максимальное входное напряжение: DC 2-24V2. Максимальное выходное напряжение: DC 2-28В3. частота переключения: 1,2 МГц4. Максимальная токовый выход: 2AПакет включены:1 x SX1308 усилитель модуль

Результаты (русский) 2:

SX1308 усилитель модуль проведении чип SX1308, его packagnig мало, и высокая эффективность. Выходная мощность может быть регулирует, максимальная может достигать 28В и его внутренняя интегрировать низкие RDS внутреннее сопротивление 100 МОм оксида металла полупроводникового полевой транзистор (MOSFET), которые могут реализовать большой выходной ток до 2А. Особенности: 1. Частота колебаний 1.2MHz 2. Эффективность достигает 95% 3. Микросхема имеет защиту от короткого замыкания, перегрева функцию защиты 4. 10k потенциометра для регулировки, настройки выходного напряжения 5. Используется в сети 3G продукции, цифровых продуктов, мобильных питания, батареи питания, оборудование и т.д. Технические параметры: 1. Максимальное входное напряжение: DC 2-24V 2. Максимальное выходное напряжение: DC 2-28V 3. Частота переключения: 1.2MHz 4. Максимальный выходной ток: 2A Пакет включено: 1 х SX1308 Усилитель Модуль

Результаты (русский) 3:

sx1308 разгонного модуля с sx1308 чип, packagnig невелик, и высокая эффективность.выходная мощность можно скорректировать, максимум могут приехать 28v и внутри его интеграции низких RDS внутреннее сопротивление и мом окислов металлов полупроводниковых полевой транзистор (MOSFET), которые могут реализовать большое количество продукции до 2а.

черты:
1.частоте колебаний 1.2mhz
2.эффективность достигает 95%
3.округа было короткое замыкание в защите, перегрев, функция защиты
4.10 корректировать их, настроить выходного напряжения
5.используется в 3G - сети продуктов, цифровой продукции, мобильных источников питания, батареи электропитания, оборудование и т.д.

технические параметры:
1.максимальное напряжение: дк 2-24v
2.максимальный результат напряжение: дк 2-28v
3.переключение частоты: 1.2mhz
4.максимальный ток результат: 2A

пакет включает:
1 x sx1308 разгонного модуля