The semiconductor industry can trac

The semiconductor industry can trace its roots back to the invention of the first semiconductor transistor bу William Shockley, John Bardeen and Walter Brattain at Bell Labs in 1947. Their crude device was assembled from а small piece of germanium, some gold foil, а pа per clip, and several pieces of plastic. Though crudely constructed, it performed its function of using а voltage to switch an electrical current on or off quite well. This simple device is the parent of all of the various semiconductor transistor devices produced over the years, including
computer microprocessors, memory chips, and solid state power amplification circuits.

The new transistor found а home in а number of markets where it could replace bulky and troublesome vacuum tubes (radios and televisions), and it created new markets that were invented specifically to exploit its use. The discrete transistor was quickly incorporated in
everything from telephone equipment to pocket-sized transistor radios.It is interesting to note that the size of the parts in these early discrete devices were of the order of tenths of an inch. Bу the late 1950s, the discrete transistor market was worth an estimated $ 1 billion annually.

The next major step in semiconductors was the invention of the first monolithic integrated circuit bу Jack Kilby and Robert Noyce in 1960. Their integrated devices consisted of many solid-state transistors that were manufacturcd and interconnected internally оп а single semiconductor substrate. The typical minimum feature size in thcse early products was greater than 20 mm, significantly smaller than some of their discrete transistor counterparts. The ability to interconnect the devices internally allowed more complex functions to bе performed bу а single device. Interconnection also made it possible to pack а larger amount of function into areas far smaller than was possible with discrete transistors. It was the invention of the "integrated circuit" that ushered in the modern microelectronics era, and it is still adaptations of that basic product that fuel the semiconductor industry.

Результаты (русский) 1:

Полупроводниковая промышленность может проследить свои корни к изобретению первого полупроводниковый транзистор Александра Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн в Bell Labs в 1947 году. Их сырой прибор был собран из а небольшой кусочек германий, Золотая фольга, а ПА за клип и несколько кусков пластика. Хотя грубо построен, он выполняет свою функцию использования а напряжения для переключения электрического тока на или довольно хорошо. Это простое устройство является родительским для всех различных полупроводниковых транзисторов устройств производства в течение года, включаякомпьютерные микропроцессоры, микросхемы памяти и твердотельных силовых цепей усиления. Новый транзистор найти дом а в а ряде рынков, где он может заменить громоздкие и хлопотно вакуумных трубок (радиоприемников и телевизоров) и создал новые рынки, которые были придуманы специально для того, чтобы эксплуатировать его использования. Дискретный транзистор быстро был включен ввсе от телефонного оборудования для карманных транзисторных радиоприемников. Это интересно отметить, что размер частей в этих ранних дискретных устройств было порядка десятых дюйма. Александра конца 1950-х годов, дискретный транзистор рынок был стоимостью около $ 1 млрд ежегодно. Следующим крупным шагом в полупроводниках было изобретение первого монолитной интегральной схемы Александра Джек Килби и Роберт Нойс в 1960 году. Интегрированные устройства состоял из многих твердотельных транзисторов, которые были manufacturcd и внутренне взаимосвязанных оп а одной полупроводниковой подложки. Типичным минимальным размером в thcse ранней продукции было более 20 мм, значительно меньше, чем некоторые из их коллег дискретных транзисторов. Возможность соединения устройств внутренне позволило более сложные функции быть выполнены Михаила а одно устройство. Объединение также стало возможным упаковать а большее количество функций в районах гораздо меньше, чем это было возможно с дискретных транзисторов. Это было изобретение «интегральных», которая положила начало в эпоху современной микроэлектроники, и это до сих пор адаптации основного продукта, которые полупроводниковой промышленности.

Результаты (русский) 2:

Полупроводниковая промышленность может проследить свои корни назад к изобретению первого полупроводникового транзистора web - сайта Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Брэттеном в Bell Labs в 1947 году их сырой аппарат был собран из а небольшой кусочек германия, какой - то золотой фольги, а в Па клип, и несколько кусков пластика. Хотя грубо построен, он выполнил свою функцию с помощью а напряжения для переключения электрического тока включения или выключения достаточно хорошо. Это простое устройство является родителем всех различных полупроводниковых транзисторных устройств , производимых на протяжении многих лет, в том числе
компьютерных микропроцессоров, микросхем памяти и твердотельных схем усиления мощности.

Новый транзистор нашел а дом в а ряде рынков , где она могла бы заменить громоздкие и хлопотно вакуумные трубки (радиоприемников и телевизоров), и это создало новые рынки , которые были изобретены специально для использования ее использование. Дискретный транзистор был быстро включен в
всем от телефонного оборудования карманном транзистора radios.It Интересно отметить , что размер деталей в этих ранних дискретных устройств были порядка десятых долей дюйма. Web - сайта в конце 1950 - х годов, дискретный рынок транзистор оценивается в $ 1 млрд в год.

Следующим важным шагом в полупроводниках стало изобретение первой монолитной интегральной схемы web - сайта Килби и Роберт Нойс в 1960 г. Их интегрированные устройства состояли из многих твердо- государственные транзисторы , которые были manufacturcd и внутреннее соединение оп а одной полупроводниковой подложке. Типичный минимальный размер в thcse ранних продуктов была больше , чем 20 мм, что значительно меньше , чем некоторые из их дискретных транзисторных аналогов. Способность соединять устройства внутри страны позволило более сложные функции , которые выполняются web - сайта Бе а одном устройстве. Объединение также дало возможность упаковать а большее количество функций в областях , намного меньше , чем это было возможно при использовании дискретных транзисторов. Это было изобретение "интегральной схемы" , которые вступили в эру современной микроэлектронике, и она до сих пор адаптация этого основного продукта , что топливо в полупроводниковой промышленности.

Результаты (русский) 3:

полупроводниковой промышленности могут отслеживать корнями в изобретения первых полупроводниковых транзистор B в уильям шокли, джон бардин и уолтер браттейн, в Bell Labs в 1947 году.их crude device был собран из а кусочек германий, некоторые золотой фольги, а р а в обойму, и несколько кусочков пластика.несмотря на то, что, грубо говоря, изготовленные, он исполнил свою функцию использования а напряжения перейти электрического тока или не очень хорошо.это простое устройство является родителем все различные устройства производства полупроводников транзистор, в последние годы, в том числекомпьютерные микропроцессоры, микросхемы памяти и твердотельные усиления мощности цепей.а дома в новых транзисторных нашли, а число рынков, на которых она может заменить громоздкие и тревожные вакуумных труб (радио и телевидение), и создает новые рынки, которые были придуманы специально для того, чтобы использовать ее использования.дискретное транзистор был быстро включаться ввсе, от телефонного оборудования для карманных транзисторных радиоприемников. интересно отметить, что размер частей, в эти первые разрозненные аппараты были ордена десятых дюйма.b в конце 1950 - х годов, отдельные транзистор рынок стоит около $1 млрд в год.следующим важным шагом в полупроводниках был изобретения первых монолитных интегральных B в джек килби и роберт нойс в 1960 - е годы.комплексные устройства состоит из многих твердотельных транзисторов, которые были manufacturcd и взаимосвязанные внутренне оп а единого полупроводниковых субстрата.типичный минимальной чертой размером в thcse ранних продуктов было более 20 мм, значительно меньше, чем некоторые из своих отдельных транзистор коллегами.возможность соединения устройств внутри позволили более сложных функций в, е, выполненные в, в а одно устройство.объединение также удалось собрать, а большее количество функций в областях намного меньше, чем можно было с дискретной транзисторов.это изобретение "интегральных", которые ввели в современной микроэлектроники эпохи, и он по - прежнему адаптации этого основного продукта, что топливо полупроводниковой промышленности.