Several key developments were requi

Several key developments were required before the exciting potential of integrated circuits could be realized.
The development of microelectronics depended on the invention of techniques for making the various functional units on or in a crystal of semiconductor materials. In particular, a growing number of functions have been given over the circuit elements that perform best: transistors. Several kinds of microelectronic transistors have been developed, and for each of them families of associated circuit elements and circuit patterns have evolved.
It was the bipolar transistor that was invented in 1948 by John Bardeen, Walter H.Brattain and William Shockley of the Bell Telephone Laboratories. In bipolar transistors charge carries of both polarities are involved in their operation. They are also known as junction transistors. The npn and pnp transistors make up the class of devices called junction transistors.
A second kind of transistor was actually conceived almost 25 years before the bipolar devices, but its fabrication in quality did not become practical until the early 1960's. This is the field-effect transistor. The one that is common in microelectronics is the metal-oxide-semiconductor field-effect transistor. The term refers to the three materials employed in its constrution and is abbreviated MOSFET.
The two basic types of transistor, bipolar and MOSFET, divide microelectronic circuits into two large families. Today the greatest density of circuit elements per chip can be achieved with the newer MOSFET technology.
An individual integrated circuit (IC) on a chip now can embrace more electronic elements than most complex piece of electronic equipment that could be built in 1950.
In the first 15 years since the inception of integrated circuits, the number of transistors that could be placed on a single chip (with tolerable yield) has doubled every year. The 1980 state of art is about 70K density per chip. Nowadays we can put a million transistors on a single chip.
The first generation of commercially produced microelectronic devices are now referred to as small-scale integrated circuits (SSI). They included a few gates. The circuitry defining a logic array had to be provided by external conductors.
Devices with more than about 10 gates on a chip but fewer than about 200 are medium-scale integrated circuits (MSI). The upper boundary of medium-scale integrated circuits techology is marked by chips that contain a complete arithmetic and logic unit. This unit accepts as inputs two operands and can perform any one of a dozen or so operations on them. The operations include additions, subtraction, comparison, logical "and" and "or" and shifting one bit to the left or right.
A large-scale integrated circuit (LSI) contains tens of thousands of elements, yet each element is so small that the complete circuit is typically less than a quarter of an inch on a side.
Integrated circuits are evolving from large-scale to very-large-scale (VLSI) and water-scale integration (WSI).
The change in scale can be measured by counting the number of transistors that can be fitted onto a chip.
Continued evolution of the microcomputer will demand further increases in packing density.
There appeared a new mode of integrated circuits, microwave integrated circuits. In broadest sense, a microwave integrated circuit is any combination of circuit functions which are packed together without a user accessible interface.
The evolution of microwave integrated circuits must begin with the development of planar transmission lines.
As we moved into the 1970's, stripline and microstrip assemblies became commonplace and accepted as the everyday method of building microwave integrated circuits. New forms of transmission lines were on the horizon, however. In 1974 new integrated-circuit components in a transmission line called fineline appeared. Other more exotic techniques, such as dielectric waveguide integrated circuits emerge. Major efforts currently are directed at such areas as image guide, co-planar waveguide, fineline and dielectric waveguide, all with emphasis on techniques which can be applied to monolithic integrated circuits. These monolithic circuits encompass all of the traditional microwave functions of analog circuits as well as new digital applications.
Microelectronic technique will continue to displace other modes. As the limit of optical resolution is now being reached, new lighographic and fabrication techniques will be required. Circuit patterns will have to be formed with radiation having wavelength shorter than those of light, and fabrication techniques capable of greater definition will be needed.
Electronics has extended man's intellectual power. Microelectronics extends that power still further.

Результаты (русский) 1:

Несколько ключевых событий необходимы, прежде чем захватывающий потенциал интегральных схем может быть реализован. Развитие микроэлектроники зависит от изобретения техники для изготовления различных функциональных подразделений на или в кристалле полупроводниковых материалов. В частности, растущее количество функций были переданы элементы схемы, которые лучше всего выполнять: транзисторы. Были разработаны несколько видов микроэлектронных транзисторов, и для каждого из них семей связанные цепи развивались элементы и схемы узоров. Это был биполярный транзистор, который был изобретен в 1948 году Джон Бардин, Walter H.Brattain и Шокли William из Bell Telephone Laboratories. В биполярных транзисторов несет заряд обеих полярностей участвуют в их работе. Они также известны как транзисторов. Npn и pnp Транзисторы составляют класс устройств, называемых транзисторов. Второй вид транзистора фактически задумывалась почти 25 лет, прежде чем биполярный устройства, однако его изготовления в качества не стал практический до начала 1960-х. Это транзистор field - effect. Тот, который является общим в микроэлектронике является металл оксид полупроводник транзистор field - effect. Термин относится к трех материалов, работающих в его constrution и сокращенно MOSFET. Два основных типа Транзистор биполярный и MOSFET, микроэлектронных схем делят на две большие семьи. Сегодня наибольшую плотность элементов цепей на чип может быть достигнуто с помощью новой технологии MOSFET. Индивидуальный интегральную схему (ИС) на чипе теперь могут охватывать больше электронных элементов, чем самые сложные часть электронного оборудования, который может быть построен в 1950 году. В первые 15 лет с момента создания интегральных схем количество транзисторов, которые могут быть размещены на одной микросхеме (с допустимой доходностью) удвоилось каждый год. 1980 года состояние искусства — около 70 K плотность на чип. В настоящее время мы можем положить миллионов транзисторов на одном чипе. Первое поколение коммерческих производства микроэлектронных устройств теперь называются мелких интегральные (SSI). Они включали несколько ворот. Схема определения массив логика пришлось обеспечиваться внешних проводников. Устройства с более чем 10 ворота на чипе, но меньше, чем около 200 являются средних интегральных схем (MSI). Верхняя граница средних интегральных techology характеризуется чипы, содержащие полный арифметические и логические единицы. Это подразделение принимает в качестве входных данных два операнда и может выполнять любой из операций десяток или около того на них. Следующие операции добавления, вычитания, сравнения, логические «и» и «или» и смещение один бит влево или вправо. Крупномасштабные интегральной схемы (LSI) содержит десятки тысяч элементов, однако каждый элемент настолько мал, что полная цепь обычно является менее чем четверти дюйма на стороне. Интегральные схемы развиваются от крупномасштабных очень большие масштаба (СБИС) и масштаб воды интеграции (WSI). Изменение масштаба может измеряться путем подсчета числа транзисторов, которые могут быть установлены в микросхему. Дальнейшее развитие микрокомпьютер потребует дальнейшего увеличения плотности упаковки. Появился новый режим интегральных микросхем, интегральных Микроволновая печь. В широком смысле микроволновой интегральной схемы является любое сочетание цепи функций, которые упакованы вместе без интерфейса пользователя доступны. Эволюция микроволновой интегральные должно начинаться с разработки плоских линий. Как мы переехали в 1970 году, stripline и микроволновые сборки стали обычным явлением и принято в качестве повседневной метод построения микроволновой интегральные. Новые формы линий электропередачи были на горизонте, однако. В 1974 году новые компоненты интегрированы цепи в передаче линии называется Файнлайн появился. Другие более экзотические методы, например диэлектрических волноводов интегральные возникают. В настоящее время основные усилия направлены на таких областях, как руководство изображения, co планарных волноводов, Файнлайн и диэлектрические волновода, все с упором на методы, которые могут быть применены для монолитных интегральных схем. Эти монолитные цепи охватывают все функции традиционных микроволновой аналоговых цепей, а также новых цифровых приложений. Микроэлектронной техники будет по-прежнему вытесняют другие режимы. Как теперь быть предела оптической резолюции, потребуются новые методы lighographic и изготовление. Схемы узоров должны формироваться с излучением с длиной волны короче, чем света, и необходимо будет способен более широкого определения методов изготовления. Электроника расширила интеллектуальной силы человека. Микроэлектроники расширяет эту власть все еще далее.

Результаты (русский) 2:

Несколько ключевых событий должны были до захватывающим потенциал интегральных схем могут быть реализованы.
Развитие микроэлектроники зависит от изобретением техники изготовления различных функциональных блоков или в кристалле полупроводниковых материалов. В частности, все большее число функций были даны в течение схемных элементов, которые выполняют лучше: транзисторы. Несколько видов микроэлектронных транзисторов были разработаны, и для каждого из них семьи, связанных элементов схемы и модели схемы эволюционировали.
Это был биполярный транзистор, который был изобретен в 1948 году Джон Бардин, Уолтер H.Brattain и Уильям Шокли в Bell Telephone лаборатории. В биполярных транзисторов носителей заряда обоих полярностей, участвующих в их работе. Они также известны как соединительные транзисторов. СПШ и PNP транзисторы составляют класс устройств, называемых распределительных транзисторов.
Второй вид транзистора на самом деле задумал почти 25 лет, прежде чем биполярных устройств, но его изготовление качества не стала практическая пока начале 1960-х. Это полевой транзистор. Тот, который является общим в микроэлектронике является оксид металла-полупроводник полевой транзистор. Этот термин относится к трем материалов, используемых в его constrution и сокращенное MOSFET.
Два основных типа транзистора, биполярных и МОП-транзистора, разделить микроэлектронных схем на две большие семьи. Сегодня наибольшая плотность элементов схемы на чип может быть достигнуто с новой технологией MOSFET.
Человек интегральная схема (ИС) на чипе теперь можно охватить больше электронных элементов, чем самый сложный кусок электронного оборудования, которые могут быть построены в 1950 году
В Первые 15 лет с момента интегральных схем, число транзисторов, которые могут быть размещены на одном кристалле (с допустимыми выход) в два раза каждый год. 1980 состояние искусства о 70K плотность на чип. В настоящее время мы можем поставить миллионов транзисторов на одном кристалле.
Первое поколение серийно выпускаемых микроэлектронных устройств сейчас называют мелкое интегральных схем (SSI). Они включали несколько ворот. Схема определения логики массив должен быть предусмотрено внешних проводников.
Устройств с более чем 10 ворот на чипе, но меньше, чем около 200 средних интегральных схем (MSI). Верхняя граница среднего интегральных схем Techology отмечен чипов, которые содержат полный арифметические и логические устройства. Это устройство принимает в качестве входных два операнда и может выполнять любую из дюжины или около того операций на них. Операции включают в себя дополнения, вычитание, сравнение, логический "и" и "или" и сдвиг на один бит влево или вправо.
Крупномасштабная интегральная схема (БИС) содержит десятки тысяч элементов, но каждый элемент настолько мал, что вся цепь, как правило, меньше, чем четверть дюйма на стороне.
Интегральные схемы развивается от крупномасштабных очень-крупномасштабной (СБИС) и воды степень интеграции (ВИС).
Изменение масштаба может быть измерена с помощью подсчета количества транзисторов, которые могут быть установлены на чипе.
Постоянная эволюция микрокомпьютера будет требовать дальнейшего повышения плотности упаковки.
Там появился новый режим интегральных схем СВЧ, интегральных схем. В широком смысле, микроволновая печь интегральная схема является любая комбинация функций замыкания, которые упакованы вместе без доступный интерфейс пользователя.
Эволюция микроволновых интегральных схем должны начать с развития линий плоская передачи.
Как мы переехали в 1970-х, полосковой и микрополосковой узлы стали обычным явлением и принята в качестве повседневной метода построения СВЧ ИС. Новые формы линий были на горизонте, однако. В 1974 новых компонентов интегральных схем в линии передачи под названием Fineline появился. Другие более экзотические методы, такие как диэлектрический волновод интегральных схем появляться. Основные усилия в настоящее время направлены на таких областях, как руководство изображений, копланарное волновода, Fineline и диэлектрического волновода, все с акцентом на методы, которые могут быть применены к монолитных интегральных схем. Эти монолитные схемы охватывают все традиционные микроволновые функций аналоговых схем, а также новых цифровых приложений.
Микроэлектронных техника будет продолжать вытеснять другие режимы. Как предел оптического разрешения в настоящее время достигнуто, новые lighographic и изготовление техники не требуется. Автоматические модели должны быть сформированы с длиной волны излучения, имеющие короче, чем у света, и методы изготовления, способные большей определения будут необходимы.
Электроника расширила интеллектуальной мощности человека. Микроэлектроника расширяет эту власть еще больше.

Результаты (русский) 3:

некоторые основные события должны были до интересных возможностей интегральных схем может быть реализована.
развитие микроэлектроники зависит от изобретения методов для изготовления различных функциональных подразделений или в хрустальном полупроводниковых материалов.в частности, растет число функций были отданы за цепь элементы, которые выполняют все: транзисторов.несколько видов микроэлектронных транзисторы были разработаны, и по каждому из них семей с элементами цепи и цепи модели эволюции.
это биполярный транзистор, что придумали в 1948 году джон бардин, уолтер браттейн и уильям шокли. из Bell Telephone Laboratories.