Semiconductors are used in a wide v

Semiconductors are used in a wide variety of solid-statedevices including transistors, integrated circuits, diodes, photodiodes andlight-emittingdiodes.
Several elements in and around group IV of the Periodic Table show intrinsic17 semiconductor properties but of these Ge and Si (and to a lesser extent Se) alone have shown chemical and electrical properties suitable18 for electronic devices operating near room temperature.
Germanium and silicon were the first semiconductor materials in common19 use.
A great contribution20 to the study of semiconductor physics has been made by the prominent Soviet scientist A.F.Yoffe. It was in 1930 when Academician A.Yoffe and his coworkers started a systematic research in the field of semiconductors.
The diffusion theory of rectification21 on the boundary of the two semiconductors was elaborated by B.I.Davydov, a Soviet physicist, in 1938. Experimental support of his theory was of great importance in the investigation of processes occurring22 inp-njunctions.
Right after World War П, physicists John Bardeen, Walter Brattain and William Shockley, and many other scientists, turned23 full time to semiconductor research. Research was centered on the two simplest semiconductors — germanium and silicon.
Experiments lead to new theories. For example, William Shockley proposed an idea for a semiconductor amplifier24 that would critically test the theory. The actual device had far less amplification than predicted. John Bardeen suggested a revision theory that would explain why the device would not work and why previous experiments had not been accurately foretold by older theories. In new experiments designed to test the new theory they discovered an entirely new physical phenomenon — the transistor effect. In 1948 W.Shockley patented the junction transistor. Junction transistors are essentiallysolid-statedevices having three layers of alternately25 negative or positive type semiconductor material.

Результаты (русский) 1:

Полупроводники используются в самых разнообразных твердых statedevices включая транзисторы, интегральные схемы, диоды, фотодиодов andlight-emittingdiodes.Несколько элементов в и вокруг группы IV периодической таблицы показывают intrinsic17 полупроводниковые свойства, но из этих Ge и Si (и в меньшей степени Se) только показали химические и электрические свойства suitable18 для электронных устройств, работающих вблизи комнатной температуры.Германия и кремния были первые полупроводниковые материалы в common19 использования.Большой contribution20 к изучению физики полупроводников выступил выдающийся советский ученый A.F.Yoffe. Это было в 1930 году, когда академик A.Yoffe и его коллеги начали систематические исследования в области полупроводников.Теория диффузии rectification21 на границе двух полупроводников был разработан B.I.Davydov, советский физик, в 1938 году. Экспериментальная поддержка его теории имеет большое значение в исследовании процессов occurring22 inp-njunctions.Сразу же после мировой войны П, физики Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли и многие другие ученые, turned23 полное время исследования полупроводников. Исследование было сосредоточено на двух простейших полупроводников — Германия и кремния.Эксперименты приводят к новым теориям. Например Уильям Шокли предложил идею amplifier24 полупроводника, который бы критически проверить теорию. Фактическое устройство имело гораздо меньше амплификации, чем предполагалось. Джон Бардин предложил теорию пересмотра, что бы объяснить, почему устройство не будет работать, и почему предыдущие эксперименты не были точно предсказали на более старые теории. В новых экспериментов, предназначенных для проверки новой теории, они открыли совершенно новое физическое явление — эффект транзистор. В 1948 году W.Shockley запатентован транзистор. Транзисторов являются essentiallysolid-statedevices, имея три слоя alternately25 отрицательный или положительный Тип полупроводникового материала.

Результаты (русский) 2:

Полупроводники используются в самых разнообразных твердотельных statedevices включая транзисторы, интегральные схемы, диоды, фотодиоды andlight-emittingdiodes.
Несколько элементов внутри и вокруг группы IV периодической таблицы показывают intrinsic17 полупроводниковых свойств , но из этих Ge и Si (и в меньшей степень Se) отдельно показали , химические и электрические свойства suitable18 для электронных устройств , работающих вблизи комнатной температуры.
германий и кремний были первые полупроводниковые материалы в common19 использования.
Большой contribution20 к изучению физики полупроводников было сделано выдающимся советским ученым AFYoffe. Это было в 1930 году , когда академик A.Yoffe и его коллеги начали систематические исследования в области полупроводников.
Теория диффузии rectification21 на границе двух полупроводников был разработан BIDavydov, советский физик, в 1938 году экспериментальной поддержки его теория имела большое значение в исследовании процессов occurring22 ИНП-njunctions.
Сразу же после Первой мировой войны П, физики Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли, и многие другие ученые, turned23 полный рабочий день полупроводниковых исследований. Исследование было сосредоточено на двух простейших полупроводников - германий и кремний.
Эксперименты приводят к новым теориям. Например, Уильям Шокли предложил идею для полупроводниковой amplifier24 что бы критически проверить теорию. Фактическое устройство было гораздо меньше , чем прогнозировалось усиление. Джон Бардин предложил теорию пересмотра , которая могла бы объяснить , почему устройство не будет работать и почему предыдущие эксперименты не было точно предсказано более старых теорий. В новых экспериментах , предназначенных для тестирования новой теории они обнаружили совершенно новое физическое явление - транзисторный эффект. В 1948 году W.Shockley запатентовал плоскостной транзистор. Распределительные транзисторы essentiallysolid-statedevices , имеющие три слоя alternately25 отрицательного или положительного типа полупроводникового материала.

Результаты (русский) 3:

полупроводники, используются в различных твердых statedevices в том числе транзисторы, диоды, photodiodes интегральных схем, andlight emittingdiodes.некоторые элементы и вокруг группы IV в периодической таблице показывают, intrinsic17 полупроводниковых свойства, но эти GE и си (и в меньшей степени se) уже показали электрические свойства химических и suitable18 электронных устройств, действующих от комнатной температуры.германия и кремний был первым полупроводниковых материалов в common19 использования.большой contribution20 на изучение физики полупроводников была сделана видного советского ученого a.f.yoffe.это было в 1930 году, когда академик а. иоффе и его коллег начал систематические исследования в области полупроводников.распространение теория rectification21 на границе двух полупроводников была разработана b.i.davydov, советский физик, в 1938 году.экспериментальное подтверждение его теории, имеет важное значение для расследования процессов occurring22 ияф njunctions.сразу после мировой войны о физиках джон бардин, уолтер браттейн и уильям шокли, и многие другие ученые, turned23 полное время полупроводниковой исследований.исследование было сосредоточено на двух простейших микросхем - германия и кремния.эксперименты приведут к новой теории.например, уильям шокли, предлагаемая идея для полупроводниковых amplifier24, что будет тяжело проверить мою теорию.взрывного устройства была намного меньше, чем прогнозировалось усиление.джон бардин предложил пересмотреть теорию о том, что могло бы объяснить, почему устройство не будет работать и почему предыдущие эксперименты, не были точно предсказал пожилых теорий.в новых экспериментов, направленных на испытания новой теории они обнаружили совершенно новое физическое явление - транзистор эффект.в 1948 году уильям шокли запатентованных соединения транзистор.- не essentiallysolid транзисторов statedevices с тремя слоями alternately25 отрицательные или положительные типа полупроводникового материала.