Let us see what a film technique is

Let us see what a film technique is like.

Even before the invention of the transistor the electronic in­dustry had studied the properties of thin film of metallic and in­sulating materials. Such films range in thickness from a fraction of a micron, or less than a wavelength of light, to several microns.

The techniques for the deposition of thin films are numer­ous and include the following methods: evaporation, sputtering, anodization, radiation, induced "cracking" or polymerization, chemical reduction thermal reduction of oxidation and electrophoresis. The first three are the major techniques used in inte­grated thin film circuit construction and are also applicable to sili­con integrated circuitry and device work. These methods singly or in combination enable a variety of resistive, insulating and con­structive materials to be laid down onto a suitable substrate.

The two most important processes for the deposition of thin films are chemical-vapour deposition and evaporation. The film technology has proved to provide precise dimensions.

In the fabrication of a typical large-scale integrated circuit there are more thin-film steps than diffusion steps. Therefore thin-film technology is probably more critical to the overall yield and performance of the circuit than the diffusion and oxidation steps are. A thin film happens even to be employed to select the areas on a wafer that are to be oxidized.

For VLSI structures several other requirements are imposed on interconnection materials by the fabrication technology.

The deposition of layers is followed by shaping operations, such as etching, to form the required outlines.Alternatively, the film can be deposited through a mask onto the substrate to define the outlines directly. In this way many identical thin-film devices can be made on a single sheet of material, which then are cut apart to yield individual devices.

Plasma etching, which is expected to play an important role in manufacture of semiconductor and other devices requiring fine-line lithography, involves the use of a glow discharge to generate reactive species from relatively inert molecular gases. These reactive species combine chemically with certain solid materials to form volatile62compounds which are then removed by vacuum pumping system.

This plasma-etching process has been shown to have impor­tant advantages in terms of cost, cleanliness, fine-line resolution, and potential for production line automation.

Additionally, the inside of a wafer-fabrication must be ex­tremely clean and orderly: a single particle happens to cause a de­fect that will result in the malfunction of a circuit. The larger the die,the greater the chance for a defect.

The structure of an integrated circuit is sure to be complex both in the topology of its surface and in its internal composition. Each element of such a device has intricale three-dimensional architecture that must be reproduced exactly in every circuit.The structure is made up of many layers, each of which is a detailed pattern. Some of the layers lie within the silicon wafer and others are stacked on the, top. The manufacturing process consists in forming the sequence of layers precisely in accordance with the plan of the circuit designer.

Nowadays much of the procedure by which ICs are trans­formed from the conception of the circuit designer to a physical reality is done with the aid of computers. In the first stage of the development of new microelectronic circuits the designers them­selves used to work at specifying the functional characteristics of the device. They also selected the processing steps that will be re­quired to manufacture it. The process was difficult and not always exact.A computer can simulate the operations of the circuit. Besides, computer simulation is less expensive than assembling a "bread-board" (макет) circuit made up of discrete circuit ele­ments; it is also more accurate.

The layout is known to specify the pattern of each layer of the IC. The goal of the layout is to achieve the desired function of each circuit in the smallest possible space. At present much of the pre­liminary (предварительный) work is done with the aid of com­puters. The final layout is also made with that of a computer.

Increasing interest in submicron layer now poses new problems. New developments in materials are believed to be due to new manufacturing forms and vice versa.

Integrated circuit technology is evolving so rapid that even a period as short as six months can produce a significant change.

Результаты (русский) 1:

Давайте посмотрим, что фильм техника похожа.Еще до изобретения транзистора электронной промышленности изучены свойства тонкой пленки из металлических и изоляционных материалов. Такие пленки диапазон толщины от фракции мкм, или меньше, чем длина волны света, до нескольких микрон.Методы для осаждения тонких пленок, многочисленны и включают следующие методы: испарения, распыления, анодирование, радиация, индуцированной «крекинг» или полимеризации, химическое уменьшение теплового уменьшения окисления и электрофореза. Первые три основные методы, используемые в конструкции цепи интегрированных тонкопленочных и также применимы к кремниевых интегральных схем и работу устройства. Эти методы поодиночке или в сочетании позволяют различные резистивной, изоляционных и конструктивные материалы, которые будут установлены на подходящую подложку.Два наиболее важных процессов для осаждения тонких пленок, химических паров осаждения и испарения. Оказалось, что фильм технологии обеспечивают точные размеры.В изготовлении типичной крупномасштабной интегральной схемы есть более тонкопленочных шагов, чем шаги диффузии. Поэтому технологии тонкопленочных вероятно более важное значение для общей доходности и производительность цепи чем диффузии и окисления шаги. Тонкая пленка бывает даже использоваться для выбора областей на пластины, чтобы окислить.Для структур СБИС ряд других требований вводятся на взаимоподключения материалы технологии изготовления.Осаждение слоев следует шейпинг операции, такие как травлением, чтобы сформировать необходимые очертания. Кроме того фильм может сдало на хранение через маску на подложку, чтобы напрямую определить контуры. Таким образом можно сделать много идентичных тонкопленочных устройств на одном листе материала, который затем отрезаны друг от друга для получения отдельных устройств.Офорт, плазмы, которая должна играть важную роль в производстве полупроводников и других устройств, требующих Файн лайн литографии, предполагает использование тлеющего разряда для создания реактивных видов из относительно инертного молекулярных газов. Эти реактивные виды химически сочетаются с некоторых твердых материалов для volatile62compounds формы, которые затем удаляются путем вакуумной откачки системы.Этот процесс плазменного травления было показано, что важные преимущества с точки зрения затрат, чистота, Файн лайн резолюции и потенциал для автоматизации производственной линии.Кроме того, внутри Вафля изготовление должно быть чрезвычайно чистой и упорядоченной: одна частица происходит, чтобы вызвать дефект, который приведет к неисправности цепи. Чем больше умереть, тем больше шансов для дефекта.Структура интегральной схемы, несомненно, быть сложным, как в топологии ее поверхности, так и в ее внутренней композиции. Каждый элемент такого устройства имеет intricale трехмерную архитектуру, которая должна быть воспроизведена в каждой цепи. Структура состоит из многих слоев, каждый из которых является подробный шаблон. Некоторые слои лежат в кремниевой пластины и другие накладываются на. Производственный процесс состоит в формировании последовательности слоев точно в соответствии с планом схемы конструктора.В настоящее время большая часть процедуры, в которой ICs преобразуются из концепции схемы конструктора для физической реальности это делается с помощью компьютеров. В первой стадии разработки новых микроэлектронных схем дизайнеры сами привыкли работать при настройке функциональных характеристик устройства. Они также выбраны шаги обработки, которые будут необходимы для производства. Процесс был трудным и не всегда точно. Компьютер может моделировать операции цепи. Кроме того компьютерное моделирование является менее дорогостоящим, чем сборка «хлеб доска» (макет) цепь состоит из дискретных цепи элементов; Он также является более точным.Известно, что макет указать шаблон каждого слоя IC. Целью макета является для достижения желаемой функции каждого контура в наименьшее возможное пространство. В настоящее время значительная часть предварительного (предварительный) работа осуществляется с помощью компьютеров. Окончательный макет также сделал с этим компьютером.Растущий интерес в субмикронном слое теперь создает новые проблемы. Новые разработки в материалах считаются из-за новых форм производства и наоборот.Микросхема интегральная технология развивается настолько быстро, что даже период как шесть месяцев может произвести значительные изменения.

Результаты (русский) 3:

давайте посмотрим, что фильм техника похожа.еще до того, как изобретение транзистора электронной в - dustry изучал свойства тонкопленочных металлических и, в - sulating материалов.такие фильмы в диапазоне толщиной от доли микрона, или менее волны света, в несколько микрон.методы для осаждения тонких пленок, половина - серьезным, и включают следующие методы: испарения, говорит невнятно, anodization, радиация, искусственных "крекинг" или полимеризации, chemical reduction тепловой сокращение окисления и электрофорез.первые три основные методы, используемые в inte - тертый тонкопленочных схема строительства и применяются также к sili - con комплексной схемы и устройство на работу.эти методы, по отдельности или в сочетании, чтобы различные формате, изоляции и кон - structive материалы будут заложены в подходящий грунт.два наиболее важных процессов осаждения тонкие фильмы химическое осаждение паров и испарения.фильм техника оказалась представить точные размеры.на изготовление типичный крупномасштабных интегральных больше тонкопленочных шаги, чем диффузионные шаги.поэтому тонкопленочных технологий, вероятно, более важное значение для общего объема и эффективности работы схемы, чем распространения и окисления шаги.тонкая пленка будет даже использоваться для выбора областей на пластины, которые должны быть окисляется.для компании структур ряда других требований в отношении взаимосвязи материалов по производству техники.осаждения слои последует формирование таких операций, как офорт, создавать необходимые контуры. напротив, фильм может быть сдан на хранение через маску на изделие определены непосредственно.таким образом, многие идентичные тонкопленочных устройства могут быть сделаны на одном листе материалов, которые затем режут друг от друга приносить индивидуальных приборов.плазма травления, который, как ожидается, играют важную роль в производстве полупроводников и других устройств, требующих тонкой линии, литографии, предусматривает использование от тлеющего разряда создавать активные виды из относительно инертного молекулярной газов.эти активные виды сочетать химически некоторых твердых материалов, создавать volatile62compounds, которые затем удалены вакуумная система насосов.это плазменные разъедание доказано, стать важным - tant преимущества в плане издержек, чистоты, тонкая линия резолюции, и возможности для автоматизации производственных линий.кроме того, внутри пластины производство должно быть бывшего tremely чистой и упорядоченного: отдельных частиц происходит к де - fect, что приведет к сбою цепи.чем больше умирают, тем выше шансы на дефект.структура комплексной схемы наверняка будет сложной, как в топологии ее поверхности и ее внутренняя структура.каждый элемент такого устройства intricale трехмерной структуры должны быть воспроизведены именно в каждую детальку. структура состоит из множества слоев, каждый из которых представляет собой подробный план.некоторые слои, находятся в кремниевых пластин и другие укладываются в топ.процесс изготовления состоит в формировании последовательность уровней точно в соответствии с планом цепь дизайнер.сегодня большая часть процедуры, с помощью которой мпс - TRANS - формируются из концепции цепь дизайнер физическую реальность осуществляется с помощью компьютеров.на первом этапе разработки новых микроэлектронных цепи дизайнеры их - я работал на конкретизацию функциональные характеристики устройства.они также выбрали обработки шаги, которые будут вновь - quired для его изготовления.этот процесс сложно и не всегда точно. компьютер может имитировать функционирования цепи.кроме того, компьютерное моделирование дешевле, чем собирать "хлеб совет" (макет) округа в составе отдельных Circuit, если рассчитывать; она также является более точным.макет, как известно, указать характер каждого слоя ик.цель этого макета для достижения желаемого функции каждого округа в минимально возможной пространства.в настоящее время большая часть заранее liminary (предварительный), работа с помощью COM - puters.окончательный вариант также с компьютером.рост интереса к субмикронных слой сейчас создает новые проблемы.новые изменения в материалы, предположительно, из - за нового производства формы и наоборот.интегральных технологии развиваются так быстро, что даже в период короткие, как шесть месяцев может произвести значительные изменения.