The potential of high -purity galli

The potential of high -purity gallium arsenide was first explicit in а new gallium arsenide-germanium hetero-junction diode. The hetero-junction device has а potential for much faster switching than conventional p-n junction diodes. Its calculated switching time is of the
order of а few picoseconds (trillions of а second).

Результаты (русский) 1:

Потенциал высокой - арсенид галлия чистоты был первым явным а новый Арсенид Германий гетеро junction диод. Гетеро junction устройство имеет потенциал а для гораздо более быстрого переключения чем обычные p-n переход диоды. Имеет его расчетное время переключенияОрден а несколько пикосекунд (триллионы а второй).

Результаты (русский) 2:

Потенциал арсенида галлия высокой -purity был первым явным в новом а на основе арсенида галлия-германиевого гетеро-перехода диода. Устройство гетеропереходе имеет а потенциал для гораздо более быстрое переключение по сравнению с обычными П.Н. плоскостных диодов. Его расчетное время переключения имеет
порядка а несколько пикосекунд (триллионы а второй).

Результаты (русский) 3:

потенциал высокий - чистота арсенид галлия была впервые четко, а новые арсенид галлия германий гетеро - диод.на перекрестке устройство имеет потенциал для гетеро, а гораздо быстрее, чем обычные полупроводниковый переключения соединения диодов.он рассчитан на время работыпорядок, а несколько секунд (триллионы, а второй).