Contributing greatly to the manufac

Contributing greatly to the manufacturing technique is a unique crystal forming method known as epitaxial growth.

Epitaxial growth in combination with oxide masking and dif­fusion has given the device designer extremely flexible tools for making an almost limitless variety of structures.

After 1964 epitaxial growth remains an important technique in semiconductor device fabrication and the demand for improved device yield per slice, still higher device operating frequencies and more sophisticated device structures has needed continuing innovation and development.

Advances in silicon crystal growth technology have en­couraged advances in the automation of crystal growing equip­ment. Crystal pulling equipment now available uses computer software to control all the growing parameters. Preprogrammed process changes are used to tailor crystal characteristics.

II.Let us see what a film technique is like.

Even before the invention of the transistor the electronic in­dustry had studied the properties of thin film of metallic and in­sulating materials. Such films range in thickness from a fraction of a micron, or less than a wavelength of light, to several microns.

The techniques for the deposition of thin films are numer­ous and include the following methods: evaporation, sputtering, anodization, radiation, induced "cracking" or polymerization, chemical reduction thermal reduction of oxidation and electrophoresis. The first three are the major techniques used in inte­grated thin film circuit construction and are also applicable to sili­con integrated circuitry and device work. These methods singly or in combination enable a variety of resistive, insulating and con­structive materials to be laid down onto a suitable substrate.

The two most important processes for the deposition of thin films are chemical-vapour deposition and evaporation. The film technology has proved to provide precise dimensions.

In the fabrication of a typical large-scale integrated circuit there are more thin-film steps than diffusion steps. Therefore thin-film technology is probably more critical to the overall yield and performance of the circuit than the diffusion and oxidation steps are. A thin film happens even to be employed to select the areas on a wafer that are to be oxidized.

For VLSI structures several other requirements are imposed on interconnection materials by the fabrication technology.

The deposition of layers is followed by shaping operations, such as etching, to form the required outlines.Alternatively, the film can be deposited through a mask onto the substrate to define the outlines directly. In this way many identical thin-film devices can be made on a single sheet of material, which then are cut apart to yield individual devices.

Plasma etching, which is expected to play an important role in manufacture of semiconductor and other devices requiring fine-line lithography, involves the use of a glow discharge to generate reactive species from relatively inert molecular gases. These reactive species combine chemically with certain solid materials to form volatile compounds which are then removed by vacuum pumping system.

This plasma-etching process has been shown to have impor­tant advantages in terms of cost, cleanliness, fine-line resolution, and potential for production line automation.

Additionally, the inside of a wafer-fabrication must be ex­tremely clean and orderly: a single particle happens to cause a de­fect that will result in the malfunction of a circuit. The larger the die, the greater the chance for a defect.

The structure of an integrated circuit is sure to be complex both in the topology of its surface and in its internal composition. Each element of such a device has intricate three-dimensional architecture that must be reproduced exactly in every circuit.The structure is made up of many layers, each of which is a detailed pattern. Some of the layers lie within the silicon wafer and others are stacked on the, top. The manufacturing process consists in forming the sequence of layers precisely in accordance with the plan of the circuit designer.

Nowadays much of the procedure by which ICs are trans­formed from the conception of the circuit designer to a physical reality is done with the aid of computers. In the first stage of the development of new microelectronic circuits the designers them­selves used to work at specifying the functional characteristics of the device. They also selected the processing steps that will be re­quired to manufacture it. The process was difficult and not always exact.A computer can simulate the operations of the circuit. Besides, computer simulation is less expensive than assembling a "bread-board" (макет) circuit made up of discrete circuit ele­ments; it is also more accurate.

The layout is known to specify the pattern of each layer of the IC. The goal of the layout is to achieve the desired function of each circuit in the smallest possible

Результаты (русский) 1:

Содействие во многом технологию производства является уникальный кристалл, формируя метод, известный как эпитаксиального роста.Эпитаксиального роста в сочетании с оксидом маскировки и диффузии дал устройства конструктора чрезвычайно гибкие инструменты для изготовления почти безграничное разнообразие структур.После 1964 года эпитаксиального роста остается важным способом изготовления полупроводниковых устройств и спрос на улучшение устройства выход на срез, по-прежнему выше устройства, работающие на частотах и более сложные структуры устройств необходимо продолжение инновационной деятельности и развития.Достижения в технологии роста кристаллов кремния способствовали успехи в области автоматизации оборудования выращивания кристаллов. Кристалл тяговое оборудование теперь использует компьютерное программное обеспечение для управления всех растущих параметров. Запрограммированные процесс изменения используются для настройки характеристик кристалла.II. Давайте посмотрим, что фильм техника похожа.Еще до изобретения транзистора электронной промышленности изучены свойства тонкой пленки из металлических и изоляционных материалов. Такие пленки диапазон толщины от фракции мкм, или меньше, чем длина волны света, до нескольких микрон.Методы для осаждения тонких пленок, многочисленны и включают следующие методы: испарения, распыления, анодирование, радиация, индуцированной «крекинг» или полимеризации, химическое уменьшение теплового уменьшения окисления и электрофореза. Первые три основные методы, используемые в конструкции цепи интегрированных тонкопленочных и также применимы к кремниевых интегральных схем и работу устройства. Эти методы поодиночке или в сочетании позволяют различные резистивной, изоляционных и конструктивные материалы, которые будут установлены на подходящую подложку.Два наиболее важных процессов для осаждения тонких пленок, химических паров осаждения и испарения. Оказалось, что фильм технологии обеспечивают точные размеры.В изготовлении типичной крупномасштабной интегральной схемы есть более тонкопленочных шагов, чем шаги диффузии. Поэтому технологии тонкопленочных вероятно более важное значение для общей доходности и производительность цепи чем диффузии и окисления шаги. Тонкая пленка бывает даже использоваться для выбора областей на пластины, чтобы окислить.Для структур СБИС ряд других требований вводятся на взаимоподключения материалы технологии изготовления.Осаждение слоев следует шейпинг операции, такие как травлением, чтобы сформировать необходимые очертания. Кроме того фильм может сдало на хранение через маску на подложку, чтобы напрямую определить контуры. Таким образом можно сделать много идентичных тонкопленочных устройств на одном листе материала, который затем отрезаны друг от друга для получения отдельных устройств.Офорт, плазмы, которая должна играть важную роль в производстве полупроводников и других устройств, требующих Файн лайн литографии, предполагает использование тлеющего разряда для создания реактивных видов из относительно инертного молекулярных газов. Эти реактивные виды химически сочетаются с некоторых твердых материалов для формирования летучих соединений, которые затем удаляются путем вакуумной насосной системы.Этот процесс плазменного травления было показано, что важные преимущества с точки зрения затрат, чистота, Файн лайн резолюции и потенциал для автоматизации производственной линии.Кроме того, внутри Вафля изготовление должно быть чрезвычайно чистой и упорядоченной: одна частица происходит, чтобы вызвать дефект, который приведет к неисправности цепи. Чем больше умереть, тем больше шансов для дефекта.Структура интегральной схемы, несомненно, быть сложным, как в топологии ее поверхности, так и в ее внутренней композиции. Каждый элемент такого устройства имеет сложную трехмерную архитектуру, которая должна быть воспроизведена в каждой цепи. Структура состоит из многих слоев, каждый из которых является подробный шаблон. Некоторые слои лежат в кремниевой пластины и другие накладываются на. Производственный процесс состоит в формировании последовательности слоев точно в соответствии с планом схемы конструктора.В настоящее время большая часть процедуры, в которой ICs преобразуются из концепции схемы конструктора для физической реальности это делается с помощью компьютеров. В первой стадии разработки новых микроэлектронных схем дизайнеры сами привыкли работать при настройке функциональных характеристик устройства. Они также выбраны шаги обработки, которые будут необходимы для производства. Процесс был трудным и не всегда точно. Компьютер может моделировать операции цепи. Кроме того компьютерное моделирование является менее дорогостоящим, чем сборка «хлеб доска» (макет) цепь состоит из дискретных цепи элементов; Он также является более точным.Известно, что макет указать шаблон каждого слоя IC. Целью макета является достижение желаемой функции каждого контура в наименьшей возможной

Результаты (русский) 2:

Внесли большой вклад в технологии производства представляет собой уникальный кристалл формирования метод , известный как эпитаксиального роста.

Эпитаксиальный рост в сочетании с оксидом маскирования и диффузии дал проектировщику устройства чрезвычайно гибкие инструменты для изготовления почти бесконечное разнообразие структур.

После 1964 эпитаксиальный рост остается важным методом в изготовлении полупроводниковых устройств и спрос на улучшение урожайности устройства на ломтик, еще более высоких рабочих частот устройства и более сложных структур устройств нуждалось продолжения инноваций и развития.

Достижения в области кремниевой технологии выращивания кристаллов способствовали достижения в области автоматизации выращивания кристаллов оборудования. Кристалл вытягивать оборудование теперь доступно использует компьютерное программное обеспечение для управления всеми растущих параметров. Запрограммированные изменения процесса используются для адаптации характеристик кристаллов.

II.Let посмотрим , что техника фильм нравится.

Еще до изобретения транзистора электронная промышленность изучили свойства тонкой пленки металлических и изоляционных материалов. Такие пленки в диапазоне толщины от долей микрона, или меньше , чем длина волны света, до нескольких микрон.

Методики осаждения тонких пленок многочисленны и включают в себя следующие методы: испарение, напыление, анодирование, радиация, индуцированные "трещин" или полимеризации, процесс химического восстановления термического восстановления окисления и электрофореза. Первые три основные методы , используемые в интегральной конструкции тонкой печатной пленки и также применимы к кремниевой интегральной схемы и работы устройства. Эти методы по отдельности или в комбинации позволяют различным резистивным, изоляционные и конструктивные материалы, которые будут установлены на подходящую подложку.

Два наиболее важных процессов для осаждения тонких пленок химического осаждения паров и испарения. Пленочной технологии доказала , чтобы обеспечить точные размеры.

При изготовлении типичной крупномасштабной интегральной схемы есть больше шагов тонкопленочные чем шагов диффузии. Поэтому тонкопленочной технологии, вероятно , более важное значение для общего выхода и производительности схемы , чем диффузия и окисления шаги. Тонкая пленка бывает даже быть использованы для выбора области на пластине, которые должны быть окислены.

Для СБИС структур несколько другие требования накладываются на присоединение материалов по технологии изготовления.

Осаждение слоев с последующим формованием операции, такие как травление, чтобы сформировать требуемую outlines.Alternatively, пленка может быть нанесена через маску на подложку , чтобы определить контуры непосредственно. Таким образом , много идентичных тонкопленочных могут быть выполнены на одном листе материала, который затем разрезают на части с получением отдельных устройств.

Плазменное травление, который , как ожидается , будет играть важную роль в производстве полупроводниковых и других устройств , требующих тонкой линии литографии, включает в себя использование тлеющего разряда для генерации активных форм из относительно инертных молекулярных газов. Эти активные частицы химически соединяются с определенными твердыми веществами с образованием летучих соединений , которые затем удаляются с помощью системы вакуумной откачки.

Этот процесс плазменного травления было показано, имеют важные преимущества с точки зрения стоимости, чистоты, разрешение тонкой линии, и потенциал для автоматизации производства.

Кроме того, внутри вафельного межоперационными должен быть очень чистым и аккуратным: одна частица происходит , чтобы вызвать дефект , который приведет к неисправности цепи. Чем больше матрица, тем больше шансов на дефект.

Структура интегральной схемы обязательно должна быть сложной и в топологии его поверхности и в своей внутренней композиции. Каждый элемент такого устройства имеет сложную трехмерную архитектуру , которая должна быть воспроизведен точно , в каждой структуре circuit.The состоит из многих слоев, каждый из которых представляет собой подробный рисунок. Некоторые из слоев лежат внутри кремниевой пластины и другие уложены на вершине,. Производственный процесс заключается в формировании последовательности слоев точно в соответствии с планом конструктора схемы.

В настоящее время большая часть процедуры , посредством которой ИС трансформируются от концепции дизайнера схемы к физической реальности делается с помощью компьютеров. На первом этапе разработки новых микроэлектронных схем сами конструкторы используются для работы при указании функциональных характеристик устройства. Они также выбраны этапы обработки , которые потребуются для его изготовления. Процесс был трудным и не всегда exact.A компьютер может имитировать операции схемы. Кроме того, компьютерное моделирование является менее дорогостоящим , чем сборки "хлеб-доска" (макет) схема состоит из дискретных элементов схемы; он также более точным.

Компоновка известно , чтобы определить структуру каждого слоя IC. Цель компоновки заключается в достижении желаемой функции каждого контура в минимально возможное

Результаты (русский) 3:

вносит большой вклад в производство техники - это уникальный метод, известный как "формирование эпитаксиальные роста.эпитаксиальные роста в сочетании с азота) и диф - синтез дал устройство дизайнера очень гибкой, инструменты для создания почти неограниченную различных структур.после 1964 эпитаксиальные роста остается важным методом в полупроводниковой устройство, изготовление и спрос на улучшение устройство улов на кусок, еще более высокой частоты и более современные устройства устройство структур необходимо постоянное обновление и развитие.успехи в силиконовой кристаллов технологий en - couraged достижений в области автоматизации выращивания кристаллов вооружить их устранения.кристал, вытаскивая оборудования в настоящее время использует программное обеспечение для контроля всех все параметры.предварительно процесс изменения используются адаптировать кристалл характеристики.ii. посмотрим, что фильм техника похожа.еще до того, как изобретение транзистора электронной в - dustry изучал свойства тонкопленочных металлических и, в - sulating материалов.такие фильмы в диапазоне толщиной от доли микрона, или менее волны света, в несколько микрон.методы для осаждения тонких пленок, половина - серьезным, и включают следующие методы: испарения, говорит невнятно, anodization, радиация, искусственных "крекинг" или полимеризации, chemical reduction тепловой сокращение окисления и электрофорез.первые три основные методы, используемые в inte - тертый тонкопленочных схема строительства и применяются также к sili - con комплексной схемы и устройство на работу.эти методы, по отдельности или в сочетании, чтобы различные формате, изоляции и кон - structive материалы будут заложены в подходящий грунт.два наиболее важных процессов осаждения тонкие фильмы химическое осаждение паров и испарения.фильм техника оказалась представить точные размеры.на изготовление типичный крупномасштабных интегральных больше тонкопленочных шаги, чем диффузионные шаги.поэтому тонкопленочных технологий, вероятно, более важное значение для общего объема и эффективности работы схемы, чем распространения и окисления шаги.тонкая пленка будет даже использоваться для выбора областей на пластины, которые должны быть окисляется.для компании структур ряда других требований в отношении взаимосвязи материалов по производству техники.осаждения слои последует формирование таких операций, как офорт, создавать необходимые контуры. напротив, фильм может быть сдан на хранение через маску на изделие определены непосредственно.таким образом, многие идентичные тонкопленочных устройства могут быть сделаны на одном листе материалов, которые затем режут друг от друга приносить индивидуальных приборов.плазма травления, который, как ожидается, играют важную роль в производстве полупроводников и других устройств, требующих тонкой линии, литографии, предусматривает использование от тлеющего разряда создавать активные виды из относительно инертного молекулярной газов.эти активные виды сочетать химически некоторых твердых материалов на форму летучих соединений, которые затем удалены вакуумная система насосов.это плазменные разъедание доказано, стать важным - tant преимущества в плане издержек, чистоты, тонкая линия резолюции, и возможности для автоматизации производственных линий.кроме того, внутри пластины производство должно быть бывшего tremely чистой и упорядоченного: отдельных частиц происходит к де - fect, что приведет к сбою цепи.чем больше умирают, тем выше шансы на дефект.структура комплексной схемы наверняка будет сложной, как в топологии ее поверхности и ее внутренняя структура.каждый элемент такого устройства не сложной трехмерной структуры, которые должны быть воспроизведены именно в каждую детальку. структура состоит из множества слоев, каждый из которых представляет собой подробный план.некоторые слои, находятся в кремниевых пластин и другие укладываются в топ.процесс изготовления состоит в формировании последовательность уровней точно в соответствии с планом цепь дизайнер.сегодня большая часть процедуры, с помощью которой мпс - TRANS - формируются из концепции цепь дизайнер физическую реальность осуществляется с помощью компьютеров.на первом этапе разработки новых микроэлектронных цепи дизайнеры их - я работал на конкретизацию функциональные характеристики устройства.они также выбрали обработки шаги, которые будут вновь - quired для его изготовления.этот процесс сложно и не всегда точно. компьютер может имитировать функционирования цепи.кроме того, компьютерное моделирование дешевле, чем собирать "хлеб совет" (макет) округа в составе отдельных Circuit, если рассчитывать; она также является более точным.макет, как известно, указать характер каждого слоя ик.цель этого макета для достижения желаемого функции каждого округа в минимально возможной