Результаты (
русский) 3:
[копия]Скопировано!
таким образом, новые материалы, необходимые для объединения компании.
разработки любой машины или устройство, всегда была ограничена материалов.данная проблема была в том, что материалы, могут быть разработаны и с учетом любых новых структур.
полупроводников, используются в различных твердых statedevices в том числе транзисторы, диоды, интегральных схем,photodiodes andlight emittingdiodes.
несколько элементов внутри и вокруг группы IV в периодической таблице показать собственный полупроводник свойства, но эти GE и си (и в меньшей степени se) уже показали электрические свойства химических и пригодных для электронных устройств, действующих от комнатной температуры.
германий и кремний был первым полупроводниковых материалов в общее пользование.
большой вклад в изучение физики полупроводников была сделана видного советского ученого a.f.yoffe.это было в 1930 году, когда академик а. иоффе и его коллег начал систематические исследования в области полупроводников.
распространение теория об исправлении на границе двух полупроводников была разработана b.i.davydov, советский физик, в 1938 году.экспериментальное подтверждение его теории, имеет важное значение для расследования процессы, происходящие в ияф njunctions.
сразу после мировой войны о физиках джон бардин, уолтер браттейн и уильям шокли, и многие другие ученые превратили все время полупроводниковой исследований.исследование было сосредоточено на двух простейших микросхем - германия и кремния.
эксперименты приведут к новой теории.например, уильям шокли, предлагаемая идея для полупроводниковых усилитель, что будет тяжело проверить мою теорию.взрывного устройства была намного меньше, чем прогнозировалось усиление.джон бардин предложил пересмотреть теорию о том, что могло бы объяснить, почему устройство не будет работать и почему предыдущие эксперименты, не были точно предсказал пожилых теорий.в новых экспериментов, направленных на испытания новой теории они обнаружили совершенно новое физическое явление - транзистор эффект.в 1948 году уильям шокли запатентованных соединения транзистор.- не essentiallysolid транзисторов statedevices с тремя слоями поочередно, позитивных или негативных типа полупроводниковых материалов.
в начале истории современной полупроводниковой технологии можно проследить до декабря 1947 года, когда джон бардин и w.h.brattain отметил транзистор действий через точки контактов применил topoly crystallinegermanium.германия стала материала в общее пользование.было отмечено, что действия произошли в течение одного зерна транзистор поликристаллических материала.
г.к.- первоначально признает огромное значение ofsingle crystalsemiconductor материалов, а также для обеспечения физической реализации соединения транзистор.- reasoned30 в 1949 году, германия - неконтролируемое сопротивления и электронных поликристаллического traps31 затронет транзистор операций в неконтролируемых пути.кроме того,он посчитал, что поликристаллического материала обеспечит несовместимым доходности продуктов и, таким образом, дорого.он был первым, для определения химической чистоте, высокая степень кристалл perfection35 и однородность структуры, а также контроль химического состава (т.е. доноров или акцептор концентрация) thesingle crystalmaterial как необходимого фундамента для полупроводниковых продуктов.
следующее десятилетие наблюдается ingermanium и "универсальной" полупроводниковых материалов силикон.накопленный за германий, как постепенно кремния за "универсальной" полупроводникового материала.
переводится, пожалуйста, подождите..
![](//ruimg.ilovetranslation.com/pic/loading_3.gif?v=b9814dd30c1d7c59_8619)