The early history of modern semicon

The early history of modern semiconductor technology can be traced to December 1947 when J.Bardeen and W.H.Brattain observed transistor action through point contacts applied topoly-crystalline germanium. Germanium has become the material in common use. It was realized that transistor action occurred within the single grains of polycrystalline material.
G.K.Teal originally recognized the immense importance of single-crystal semiconductor materials as well as for providing the physical realization of the junction transistor. Teal reasoned in 1949, that polycrystalline germanium's uncontrolled resistances and electronic traps would affect transistor operations in uncontrolled ways. Additionally, he reasoned that polycrystalline material would provide inconsistent product yields and thus be costly. He was the first to define chemical purity, high degree of crystal perfection and uniformity of structure as well as controlled chemical composition (i.e. donor or acceptor concentration) of thesingle-crystalmaterial as an essential foundation for semiconductor products.
The next decade witnessed an ingermanium and the "universal" semiconductor material, silicon. Silicon gradually gained favour over germanium as the "universal" semiconductor material.

Результаты (русский) 1:

Ранняя история современной полупроводниковой технологии можно проследить до декабря 1947 года, когда J.Bardeen и W.H.Brattain отметил, что транзистор действий через точку контактов применяется topoly кристаллический Германий. Германия стала материал в общего пользования. Выяснилось, что транзистор действий произошло в пределах одного зерна поликристаллического материала.G.K.Teal изначально признала огромную важность одиночн кристалл полупроводника материалов, а также обеспечение физической реализации транзистор. Чирок в 1949 году, рассудил, что германий поликристаллический неконтролируемого сопротивлений и электронные ловушки будет затрагивать транзистор операции неконтролируемым образом. Кроме того он считал, что поликристаллического материала обеспечивают урожайность продукции и таким образом быть дорогостоящим. Он был первым, чтобы определить химическая чистота, высокая степень совершенства кристалл и однородность структуры, а также под контролем химического состава (т.е. концентрации доноров или акцептор) thesingle-crystalmaterial как важной основой для полупроводниковых изделий.В следующем десятилетии свидетелем ingermanium и «универсальный» полупроводникового материала, кремния. Кремния постепенно получила пользу над Германий как «универсальный» полупроводникового материала.

Результаты (русский) 2:

Ранняя история современной полупроводниковой технологии могут быть прослежены к 1947, когда декабря J.Bardeen и WHBrattain наблюдается транзистор действие через точечных контактов, применяемых topoly-кристаллический германий. Германий стало материал в общем пользовании. Это стало ясно, что транзистор действие происходило в отдельных зерен поликристаллического материала.
GKTeal первоначально признали огромную важность монокристаллических полупроводниковых материалов, а также для обеспечения физической реализации перехода транзистора. Чирок рассуждал в 1949 году, неконтролируемые сопротивлений, которые поликристалли- германия и электронного ловушки повлияет транзисторных операции в неконтролируемых способами. Кроме того, он считал, что поликристаллический материал обеспечит противоречивые выход продукта и, следовательно, быть дорогостоящим. Он был первым, чтобы определить химическую чистоту, высокую степень совершенства и однородности кристаллической структуры, а также контролируемый химический состав (т.е. донор или концентрация акцепторов) из thesingle-crystalmaterial в качестве необходимого фундамента для полупроводниковых изделий.
В следующем десятилетии стали свидетелями ingermanium и "универсальной" полупроводниковый материал, кремния. Кремний постепенно снискал над германия как «универсального» полупроводникового материала.

Результаты (русский) 3:

ранней истории современной полупроводниковой технологии можно проследить до декабря 1947 года, когда джон бардин и w.h.brattain отметил транзистор действий через точки контактов применил topoly кристаллических германий.германия стала материала в общее пользование.было отмечено, что действия произошли в течение одного зерна транзистор поликристаллических материала.
г.к.- первоначально признает огромную важность single-crystal полупроводниковых материалов, а также для обеспечения физической реализации соединения транзистор.чирок обоснованным в 1949 году, германия - неконтролируемое сопротивления и электронных поликристаллических ловушки затронет транзистор операций в неконтролируемых пути.кроме того,он посчитал, что поликристаллического материала обеспечит несовместимым доходности продуктов и, таким образом, дорого.он был первым, для определения химической чистоте, высокая степень кристалл совершенства и однородность структуры, а также контроль химического состава (т.е. доноров или акцептор концентрация) thesingle crystalmaterial как необходимого фундамента для полупроводниковых продуктов.